类型：GaN HEMT
　　最大漏极电压：120 V
　　最大漏极电流：12 A
　　输出功率：30 W
　　频率范围：2.7 GHz - 3.5 GHz
　　增益：12 dB
　　效率：65% 以上
　　封装类型：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-55°C 至 225°C

WSF40130 是一款基于 GaN 技术的射频功率晶体管，具有优异的高频性能和高功率密度。该器件采用先进的 GaN-on-SiC（氮化镓在碳化硅上）工艺制造，使其在高频段（2.7 GHz 至 3.5 GHz）具有出色的输出功率和效率。该晶体管的典型输出功率为 30 W，增益可达 12 dB，同时保持超过 65% 的漏极效率。
　　由于 GaN 材料的高电子迁移率和优异的热稳定性，WSF40130 能够在高电压（高达 120 V）和高电流（12 A）条件下稳定工作。其表面贴装封装（SMD）设计便于在现代射频电路中实现高密度集成，同时保证良好的散热性能。
　　此外，该器件具有良好的线性度和稳定性，适合用于多载波通信系统和需要高保真度信号放大的应用。其宽工作温度范围（-55°C 至 225°C）使其适用于各种恶劣环境条件下的工作场景，如航空航天、军事雷达和工业控制系统。

WSF40130 主要用于高性能射频功率放大器的设计，适用于 2.7 GHz 至 3.5 GHz 频率范围内的多种应用。其中包括：
　　1. 通信基础设施：如 4G/5G 基站、微波回传系统和小型蜂窝基站；
　　2. 雷达系统：包括相控阵雷达、气象雷达和军用雷达；
　　3. 测试与测量设备：如信号发生器、频谱分析仪和功率放大测试平台；
　　4. 工业与医疗设备：例如射频加热系统、等离子体发生器和工业射频能量应用；
　　5. 军事与航空航天：用于电子战系统、卫星通信（SATCOM）和高可靠性通信系统。
　　由于其高效率、高功率密度和良好的线性度，WSF40130 也广泛用于需要高能效和紧凑设计的便携式或高密度射频系统。

CGH40030P, NPT2025, GAN1935