时间：2025/4/30 16:51:11
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NDS355N-NL是一款N沟道增强型MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），广泛应用于各种开关和功率转换电路中。它具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热稳定性，适用于需要高效能和高可靠性的电子设备。
该器件采用TO-252(DPAK)封装形式，适合表面贴装技术(SMT)，能够提供优异的电气性能和散热能力。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大漏极电流(Id)：4.8A
导通电阻(Rds(on))：0.17Ω（在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：10nC
连续工作结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
存储温度范围：-55℃至+150℃
功耗(PD)：10W（Tc=25℃时）
1. 低导通电阻(Rds(on))，可有效降低功率损耗并提高效率。
2. 高速开关特性，非常适合于高频开关应用。
3. 小型化封装，便于在紧凑设计中使用。
4. 符合RoHS标准，环保且无铅。
5. 具有出色的热稳定性和可靠性，能够在恶劣环境下长期运行。
6. 支持表面贴装技术，简化了制造流程并提高了生产效率。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC/DC转换器中的同步整流开关。
3. LED驱动器中的负载开关。
4. 电池保护电路中的充放电控制开关。
5. 各种消费类电子产品中的电机驱动和信号切换。
6. 工业控制领域中的继电器替代和信号隔离等场景。
NDS355AN, IRF740, FQP50N06L
