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1SD418F2-FZ1200R33KL2C 发布时间 时间:2025/8/7 12:35:57 查看 阅读:22

1SD418F2-FZ1200R33KL2C 是一款由东芝(Toshiba)设计的IGBT(绝缘栅双极晶体管)模块,广泛用于高功率应用,如工业变频器、电机驱动和可再生能源系统。该模块结合了高功率处理能力和高可靠性,适合在苛刻环境下运行。模块的封装设计确保了良好的散热性能和电气隔离,以适应各种工业应用的需求。

参数

类型:IGBT模块
  集电极-发射极电压(VCES):1200V
  额定集电极电流(IC):330A
  短路耐受能力:750A(10μs)
  工作温度范围:-40°C至+150°C
  封装类型:双列直插式(Dual)
  配置:半桥(Half Bridge)
  导通压降:约2.1V(典型值)
  最大功耗:500W
  隔离电压:2500Vrms
  热阻(Rth):0.25K/W(典型值)

特性

1SD418F2-FZ1200R33KL2C 是一款高性能的IGBT模块,采用先进的硅片技术,具备低导通压降和低开关损耗的特点。该模块设计用于高功率密度应用,能够在高温环境下稳定运行。模块的封装采用先进的封装技术,确保良好的热管理和电气隔离,提高了整体系统的可靠性和安全性。此外,该模块具有较强的短路耐受能力,能够在突发过载情况下提供额外的安全裕度,防止器件损坏。其紧凑的封装设计使其易于集成到各种功率电子系统中,并有助于减少整体系统尺寸和重量。
  这款IGBT模块还具备良好的电磁兼容性(EMC),减少了电磁干扰(EMI)的影响,适用于对电磁干扰敏感的应用场景。模块内部的优化设计使得其在高频率开关操作下仍能保持稳定性能,降低了功率损耗并提高了能效。同时,模块的结构设计有助于简化散热器的安装和维护,提高了系统的可维护性。

应用

1SD418F2-FZ1200R33KL2C 通常用于需要高功率转换效率和稳定性的工业设备中。典型应用包括交流电机驱动器、工业变频器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统。该模块的高可靠性和优异的热管理性能使其特别适用于需要长时间运行和高负载要求的系统。此外,它还可用于工业自动化设备、电力调节装置和储能系统等高功率电子系统中,提供高效的功率转换和控制功能。

替代型号

SKM300GB12T4ag, FS300R12W1T4, FF300R12ME4_B11

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1SD418F2-FZ1200R33KL2C参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列SCALE?-1
  • 包装
  • 产品状态停产
  • Digi-Key ProgrammableNot Verified
  • 驱动配置半桥
  • 通道类型单路
  • 驱动器数1
  • 栅极类型IGBT,N 沟道,P 沟道 MOSFET
  • 电压 - 供电14.5V ~ 15.5V
  • 逻辑电压?- VIL,VIH-
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出)18A,18A
  • 输入类型-
  • 高压侧电压 - 最大值(自举)-
  • 上升/下降时间(典型值)100ns,100ns
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型底座安装
  • 封装/外壳模块
  • 供应商器件封装模块