时间：2025/4/29 9:59:56
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WSDF23C2N2H是一种高性能的双极性晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT），广泛应用于信号放大和开关控制电路中。该型号具有高增益、低噪声和快速响应的特点，适合在高频及低功耗应用中使用。
WSDF23C2N2H采用TO-92封装形式，体积小巧，便于集成到各种电子设备中。其内部结构设计使其能够承受较高的电流密度，同时保持较低的热阻，确保在长时间运行中的稳定性。
集电极-发射极电压（VCEO）：45V
集电极-基极电压（VCBO）：60V
发射极-基极电压（VEBO）：7V
最大集电极电流（IC）：200mA
直流电流增益（hFE）：100~600
功率耗散（PD）：625mW
工作温度范围（Tamb）：-55℃~150℃
存储温度范围（Tstg）：-65℃~175℃
1. 高电流增益，适用于多种放大器设计。
2. 低噪声性能，适合音频和射频信号处理。
3. 快速切换能力，支持高频开关应用。
4. 小型TO-92封装，节省空间且易于安装。
5. 广泛的工作温度范围，能够在极端环境下稳定运行。
6. 较高的击穿电压，增强了器件的可靠性与耐用性。
WSDF23C2N2H主要应用于以下领域：
1. 消费类电子产品中的信号放大电路，如音频放大器和无线通信模块。
2. 开关电源和稳压器中的开关元件。
3. 各种工业控制设备中的驱动电路。
4. 测量仪器和传感器接口中的信号调节电路。
5. 医疗设备中的低噪声放大器。
6. 汽车电子系统中的辅助控制电路。
WSDF23C2N3H, KSC188A, BC547C
