IXGN20N80 时间：2025/8/5 18:14:07 阅读：21

IXGN20N80是一款由IXYS公司生产的高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源转换器、逆变器、电机控制以及各种高功率开关电路中。该器件采用TO-247封装，具有高耐压、大电流承载能力和低导通电阻的特点，适用于需要高效能和可靠性的工业级应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：800V
　　漏极电流(Id)：20A（连续）
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　导通电阻(Rds(on))：0.25Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247
　　最大功耗(Pd)：200W

特性

IXGN20N80具有优异的电气性能和热稳定性，能够在高电压和大电流条件下保持较低的导通损耗。其高耐压能力（800V）使其适用于多种高电压应用，如高压电源转换器和逆变器系统。此外，该MOSFET的低导通电阻（0.25Ω）有助于减少导通损耗，提高系统效率。
　　在热管理方面，IXGN20N80采用了先进的封装技术，确保在高功率工作状态下仍能有效散热，延长器件使用寿命。其TO-247封装形式也便于安装在散热器上，提高散热效率。
　　该器件还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下提供一定的保护，增强系统的稳定性。其栅极驱动要求较低，适合与多种驱动电路兼容，简化了驱动电路设计。
　　IXGN20N80适用于高频开关应用，具备快速的开关速度，能够减少开关损耗，提高整体系统效率。这使得它在开关电源、DC-DC转换器、UPS系统、太阳能逆变器等应用中表现出色。