时间：2025/6/3 17:37:40
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MTP2N50是一种N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），通常用于开关和功率控制应用。该器件具有低导通电阻、高击穿电压以及快速开关特性，适合在各种电子电路中实现高效功率转换。
它广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换以及其他需要高效功率管理的场合。
型号：MTP2N50
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：1.8A
脉冲漏极电流(Ip)：6.8A
导通电阻(Rds(on))：3.4Ω（在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：75W
工作温度范围(Tj)：-55℃ to +150℃
MTP2N50具备以下显著特性：
1. 高耐压能力，可承受高达500V的漏源电压，使其适用于高压环境下的应用。
2. 低导通电阻（Rds(on)），有助于降低导通损耗并提高整体效率。
3. 快速开关性能，能够支持高频操作，减少开关损耗。
4. 热稳定性良好，能够在较宽的工作温度范围内保持稳定性能。
5. 小型封装设计，便于集成到紧凑型电路板中。
这些特性使得MTP2N50成为许多功率转换和控制应用的理想选择。
MTP2N50主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的开关或控制器。
3. 负载切换和保护电路。
4. 逆变器及不间断电源（UPS）系统。
5. 各种工业自动化设备中的功率控制组件。
其高耐压和低导通电阻的特点使它非常适合于需要高效功率管理的场景。
IRF540N
STP36NF06L
FQP19N50
IXTK18N50T2
