时间：2025/9/14 23:43:45
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BST52,115 是一款由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的双极性晶体管（BJT），属于 NPN 型晶体管。该器件广泛应用于通用开关和放大电路中，尤其适合需要中等功率处理能力的应用。BST52,115 采用 SOT-223 表面贴装封装，具备良好的热管理和电气性能，适合现代电子设备中对空间和散热要求较高的设计。
类型：NPN 型晶体管
封装类型：SOT-223
最大集电极-发射极电压（VCEO）：80V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功耗（PD）：300mW
增益（hFE）：110 - 800（取决于测试条件）
频率响应（fT）：100MHz
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
BST52,115 晶体管具有多项优良特性，适用于多种通用电子电路设计。
首先，其最大集电极-发射极电压（VCEO）为 80V，具备较高的电压耐受能力，适合中等电压应用。最大集电极电流为 100mA，支持中等功率的开关和放大操作。
其次，该晶体管的增益（hFE）范围较宽，从 110 到 800，具体数值取决于工作电流和电压条件，这使其能够灵活适应不同电路设计的需求，包括低噪声放大器、数字开关和电源控制电路。
此外，BST52,115 的频率响应（fT）达到 100MHz，能够在较高频率下保持良好的放大性能，适用于射频和高速开关应用。该器件的 SOT-223 封装具备良好的散热性能，有助于提高器件在高负载条件下的稳定性。
最后，该晶体管的工作温度范围从 -55°C 到 +150°C，具有良好的环境适应性，适合在各种工业和消费类电子产品中使用。
BST52,115 主要应用于以下领域：
在电子开关电路中，该晶体管可用于控制负载的导通与关断，例如驱动继电器、LED 和小型电机等。
在放大电路中，BST52,115 可用于音频放大、信号调理和传感器接口电路，特别是在需要中等增益和频率响应的场合。
此外，该晶体管也广泛用于数字逻辑电路、电源管理模块以及电池供电设备中的电压调节和负载切换。
由于其良好的高频响应和热稳定性，BST52,115 也适用于射频前端电路和无线通信模块中的信号放大和处理。
BC847, BC547, 2N3904
