类型：NPN双极性晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：75V
　　最大集电极电流（IC）：15A
　　最大功耗（PD）：125W
　　电流增益（hFE）：在2A集电极电流下，hFE范围为50至150（具体取决于等级）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220
　　过渡频率（fT）：典型值为25MHz
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：100V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V
　　最大工作温度下的热阻（Rth）：2.5°C/W

WSD20L75DN是一款高性能的NPN晶体管，具有出色的电气性能和热管理能力。其主要特性包括高电流容量、良好的热稳定性和优异的功率处理能力。该晶体管能够在较高的工作温度下保持稳定运行，适用于需要长时间高负荷工作的应用场合。
　　WSD20L75DN采用了高效的散热设计，TO-220封装形式确保了良好的散热性能，从而提高了器件的可靠性和寿命。此外，该晶体管的电流增益（hFE）在不同等级下具有较宽的范围，能够适应多种电路设计需求。
　　其高击穿电压特性（VCEO为75V，VCBO为100V）使得WSD20L75DN能够在高压环境中安全运行，适用于需要高耐压能力的电源转换和电机控制应用。同时，过渡频率（fT）为25MHz，表明其在中频放大应用中表现出色。
　　该晶体管还具备良好的短路和过载保护能力，能够在恶劣的工作条件下提供额外的安全保障。这使得WSD20L75DN在工业自动化、电源管理、音频放大器以及其他需要高性能晶体管的场景中成为理想的选择。

WSD20L75DN常用于中功率放大电路、开关电源、电机控制器、逆变器、音频放大器以及各种工业控制设备。其高电流容量和良好的热稳定性使其非常适合用于需要较高功率处理能力的应用场合。此外，该晶体管也可用于消费类电子产品中的电源管理和负载开关控制。

TIP142, MJ15003G, MJ21194