时间：2025/8/2 7:07:33
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TPH11006NL 是由东芝（Toshiba）生产的一款N沟道功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用中。该器件采用高性能的U-MOS技术制造，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于多种电力电子系统。TPH11006NL 采用DPAK（TO-252）封装形式，适合表面贴装工艺。
类型：N沟道
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：110A（在25°C环境温度下）
导通电阻(Rds(on))：最大6.0mΩ（在Vgs=10V时）
功耗(Pd)：150W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：DPAK（TO-252）
TPH11006NL 的核心特性之一是其超低导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流应用中能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
该器件采用东芝的U-MOS VII技术，提供优异的开关性能，包括快速的开关速度和低门极电荷（Qg），从而减少开关损耗并提高系统的整体能效。
TPH11006NL 的封装设计具备良好的散热性能，能够在高功率工作条件下保持稳定的工作温度，适用于高可靠性和高耐久性要求的应用场景。
此外，该MOSFET具备较强的电流承载能力和良好的短路耐受性，能够在突发高负载条件下维持正常工作，提高系统的稳定性与安全性。
其栅极驱动电压范围宽广（通常为4.5V至20V），兼容多种常见的驱动电路设计，包括由微控制器或专用MOSFET驱动IC提供的驱动信号。
TPH11006NL 常见于需要高效功率控制和高电流能力的各类应用中，例如直流-直流（DC-DC）转换器、同步整流器、电池管理系统（BMS）、电机控制、负载开关、电源管理模块以及工业自动化设备中的功率控制单元。
由于其低导通电阻和高电流能力，该MOSFET特别适用于需要高效能和低发热的高功率密度设计，如电源适配器、服务器电源、UPS（不间断电源）、电动车控制系统等。
此外，在新能源领域如太阳能逆变器、储能系统中，TPH11006NL 也常被用于功率开关和能量转换控制电路中。
在汽车电子领域，该器件可应用于车载充电器、电动工具、电池保护电路以及车载电源管理系统等。
SiZ110DT, TPH1R406NL, CSD17551Q5A, FDS6680, IRF1104PBF
