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WS09DP-B 发布时间 时间:2025/7/10 4:09:18 查看 阅读:11

WS09DP-B是一款高性能的双通道功率MOSFET驱动器,专为需要高效率和快速响应的应用而设计。该芯片能够提供强大的驱动能力以适应大电流负载需求,同时具备优异的电气特性和稳定性。其主要应用领域包括开关电源、电机驱动以及LED照明等场景。
  WS09DP-B采用先进的半导体工艺制造,内部集成了两个独立的驱动通道,支持多种配置方式,并具有良好的抗干扰性能和热保护功能。

参数

输入电压范围:4.5V~20V
  输出电流:每通道最大1A
  传播延迟时间:典型值50ns
  工作温度范围:-40℃~+125℃
  封装形式:SOIC-8

特性

WS09DP-B的主要特点如下:
  1. 双通道独立驱动设计,支持灵活配置;
  2. 高速驱动能力,可有效降低开关损耗;
  3. 内置过流保护和短路保护机制,确保系统可靠性;
  4. 宽泛的工作电压范围适应多种应用场景;
  5. 小型化封装,节省PCB布局空间;
  6. 低静态功耗设计,提升整体能效。

应用

WS09DP-B适用于以下领域:
  1. 开关电源中的同步整流驱动;
  2. 电机控制与驱动电路;
  3. LED驱动器及调光方案;
  4. 工业自动化设备中的信号放大与切换;
  5. 各类消费电子产品的电源管理模块。

替代型号

WS08DP-A, IR2110, TC4420

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