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NTMFD4902NFT3G 发布时间 时间:2025/5/9 18:06:55 查看 阅读:3

NTMFD4902NFT3G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的肖特基二极管。它属于 NTMFD 系列,具有高效率、低正向电压降和快速恢复时间的特点,非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器和其他高频应用中。
  该器件采用 TO-263-3 (D2PAK) 封装形式,能够提供出色的热性能和电气性能。

参数

最大正向电流:10A
  峰值反向电压:40V
  正向压降(典型值):0.43V
  反向恢复时间:15ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-263-3 (D2PAK)
  结电容:30pF

特性

NTMFD4902NFT3G 的设计使其在高频整流应用中表现出色。
  1. 低正向电压降:减少导通损耗,提高系统效率。
  2. 快速反向恢复时间:降低开关损耗,适合高频电路。
  3. 高浪涌能力:增强器件的可靠性和耐用性。
  4. 宽工作温度范围:能够在极端环境下稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准:满足环保要求,适用于各种工业和消费类电子设备。
  其 D2PAK 封装还提供了良好的散热性能,使该二极管能够在高功率密度的应用中保持高效和稳定的工作状态。

应用

NTMFD4902NFT3G 主要应用于需要高效整流和低损耗的场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的次级整流。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流。
  3. 太阳能逆变器和电机驱动器中的高频整流。
  4. 电池充电器和汽车电子系统中的保护电路。
  5. 各种工业自动化设备和消费类电子产品中的功率转换模块。
  由于其快速的开关特性和低功耗特点,这款二极管是许多现代功率电子产品的理想选择。

替代型号

NTMBF4902NFT1G, STTH4R100, SRU1040

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NTMFD4902NFT3G参数

  • 标准包装5,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 N 通道(双),肖特基
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.5 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs9.7nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1150pF @ 15V
  • 功率 - 最大1.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装8-DFN(5x6)
  • 包装带卷 (TR)