制造商: Wolfspeed (Cree)
　　类型: LDMOS射频功率晶体管
　　封装类型: 表面贴装
　　工作频率: 最高可达1 GHz
　　漏极电流(Id): 200 mA（最大）
　　漏源电压(Vds): 30 V
　　栅极电压(Vgs): -5 V ~ +15 V
　　功率输出(Pout): 30 W（典型）
　　增益: 20 dB（典型）
　　效率: 60%以上（典型）
　　工作温度范围: -55°C ~ +150°C

WRF1224P-3W具有多项显著的技术特性，首先，其采用了LDMOS技术，这使得器件在高频应用中能够保持优异的性能表现。LDMOS晶体管通常具有较高的线性度和效率，使其特别适合于无线通信中的基站和放大器应用。
　　其次，WRF1224P-3W在功率输出方面表现出色，能够提供高达30W的射频功率输出。这一特性使得它在需要高功率放大的场景中非常适用，例如在无线基础设施中的功率放大模块。
　　此外，该器件具有良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，工作温度范围从-55°C到+150°C，适用于各种恶劣环境下的应用。同时，其高效率设计（超过60%）有助于减少能耗，提高系统整体能效。
　　WRF1224P-3W的封装形式为表面贴装（SMD），这不仅有助于简化PCB设计，还提高了制造过程中的自动化程度，降低了生产成本。此外，SMD封装也更适合高频电路的布局，减少了寄生效应的影响。
　　最后，该器件的增益特性也非常突出，典型增益值为20dB，这在射频放大器设计中是一个非常重要的指标，有助于减少系统中其他放大级的需求，从而简化整体设计。

WRF1224P-3W主要应用于无线通信基础设施，例如4G/5G基站、广播发射设备、工业射频加热系统以及其他需要高功率射频放大的设备。由于其高功率输出、高效率和优异的热稳定性，WRF1224P-3W非常适合用于基站功率放大器模块的设计，能够满足现代通信系统对高线性度和高稳定性的要求。此外，该器件也可用于测试设备中的射频信号放大器，确保测试系统能够提供稳定的高功率输出。在广播设备中，WRF1224P-3W可用于调频广播发射机的末级放大器，提供高保真的音频信号放大。由于其表面贴装封装，WRF1224P-3W还可用于需要高密度集成的射频模块设计中，满足小型化和高性能并重的应用需求。

NXP AFT05MS003N, Freescale MRFE6VP61K25H, STMicroelectronics LDMOSFET 1224-30MH