时间：2025/6/6 14:33:09
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WPN252010H100MT 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景，例如开关电源、电机驱动、负载切换等。其优异的电气性能和热性能使其成为工业和消费类电子设备的理想选择。
这款 MOSFET 的设计注重降低功耗和提升系统可靠性，通过优化的芯片结构实现了较低的导通电阻和较高的电流承载能力。
最大漏源电压：60V
最大连续漏极电流：94A
导通电阻（典型值）：1.2mΩ
栅极电荷：38nC
总电容：470pF
工作结温范围：-55℃ 至 175℃
WPN252010H100MT 提供了出色的电气特性和热性能，具体包括以下特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在典型工作条件下仅为 1.2mΩ，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高额定电流能力，支持高达 94A 的连续漏极电流，满足大功率应用需求。
3. 快速开关特性，得益于较低的栅极电荷 (Qg)，能够实现高效的高频开关操作。
4. 良好的热性能，通过优化的封装设计有效降低了热阻，提升了散热能力。
5. 广泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，适应多种恶劣环境下的使用需求。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
该 MOSFET 广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场合，主要应用领域包括：
1. 开关电源 (SMPS) 中的功率级开关。
2. 电机驱动电路中的功率输出级。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统的功率管理模块。
5. 汽车电子中的 DC/DC 转换和电池管理系统。
6. 各种需要低损耗功率开关的消费类电子产品。
IRF3205
FDP55N06L
AUIRF3205S
