型号：CM200TU-12H
　　制造商：富士电机（Fuji Electric）
　　器件类型：IGBT模块
　　拓扑结构：三相全桥（6 in 1）
　　集电极-发射极额定电压（Vces）：1200V
　　额定集电极电流（Ic）@25°C：200A
　　额定集电极电流（Ic）@80°C：130A
　　最大结温（Tj）：150°C
　　栅极-发射极电压范围（Vge）：±20V
　　饱和导通电压（Vce(sat)）@Ic=200A, Vge=15V：约2.1V
　　二极管正向压降（Vf）@If=100A：约1.7V
　　开关频率典型应用范围：≤20kHz
　　热阻（Rth(j-c)）：约0.15°C/W
　　封装类型：大型通用型模块（Stud Mount）
　　是否集成NTC：是

CM200TU-12H采用富士第六代IGBT沟槽栅场截止（Trench Gate Field-Stop）技术，显著降低了导通损耗和开关损耗之间的折衷矛盾，从而提升了整体效率。该技术通过优化载流子分布和电场分布，实现了更低的Vce(sat)，同时保持了较快的关断速度，有效减少了高频应用中的能量损耗。其内部芯片布局经过精心设计，减小了寄生电感，增强了模块在高di/dt条件下的抗干扰能力，避免因电压尖峰导致的误触发或击穿风险。此外，模块采用高强度陶瓷基板（如氧化铝或氮化铝）作为绝缘层，具备优良的机械强度和热传导性能，能够长时间承受热循环应力而不发生分层或开裂。
　　该模块内置六只独立的IGBT芯片与快恢复二极管对，构成完整的三相桥式电路，简化了外部布线复杂度，提高了系统的集成度与可靠性。每个IGBT单元都配有匹配的续流二极管，其反向恢复特性经过优化，可减少反向恢复电流尖峰，降低电磁干扰（EMI）并减轻对直流母线吸收电路的压力。模块外壳采用密封灌封工艺，防止湿气、灰尘等污染物侵入，延长使用寿命。其输出端子采用铜材镀锡处理，抗氧化能力强，接触电阻小，适合大电流传输。
　　CM200TU-12H支持多种驱动方式，推荐使用专用IGBT驱动光耦或隔离驱动器进行控制，以确保信号隔离与驱动能力。其栅极输入电容适中，驱动功率需求较低，适用于常见的+15V/-10V双电源驱动方案。模块还提供单独的发射极开尔文连接（Sense Emitter），有助于精确控制驱动回路，提升动态响应一致性。NTC温度传感器位于IGBT芯片附近，能及时反映最热点温度变化，便于控制系统实施温度补偿或故障保护策略。整体而言，该模块在可靠性、效率和可维护性方面表现出色，是中高端工业变频器的理想选择之一。

CM200TU-12H主要应用于需要高功率密度与高可靠性的电力电子变换装置中。最常见的用途是在通用交流变频器中作为主逆变桥，将整流后的直流电转换为频率和电压可调的三相交流电，驱动异步电机或永磁同步电机，广泛用于风机、水泵、压缩机等节能调速场合。在伺服驱动系统中，该模块因其良好的动态响应能力和电流控制精度，被用于高性能运动控制系统，满足精密加工设备如数控机床、机器人等的需求。
　　在新能源领域，CM200TU-12H可用于光伏逆变器和风力发电变流器的DC-AC转换环节，特别是在集中式或组串式逆变器中承担核心功率转换任务。其1200V耐压等级适配多数光伏阵列的直流侧电压水平，而200A的额定电流则支持数十千瓦级别的输出功率。此外，在不间断电源（UPS）系统中，该模块用于在线式UPS的逆变级，确保市电中断时负载仍能获得稳定纯净的交流电。
　　工业加热与焊接设备也是其重要应用方向。例如，在感应加热电源中，CM200TU-12H可用于构建串联谐振或并联谐振逆变电路，实现高效能量传输；在逆变焊机中，它作为高频斩波器件，提高焊接电弧稳定性并减小设备体积。此外，该模块还可用于有源电力滤波器（APF）、静态无功补偿装置（SVC/SVG）等电能质量治理设备中，执行快速电流跟踪与谐波抑制功能。由于其具备较强的过载能力和环境适应性，也常见于轨道交通辅助电源、电动汽车充电桩等特殊工业场景。

2MBI200U4B-120
　　FF200R12KS4
　　SKM200GB12T4