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CBR02C129A8GAC 发布时间 时间:2025/7/9 12:46:05 查看 阅读:12

CBR02C129A8GAC 是一款高性能的存储芯片,属于 NAND Flash 类型。它采用先进的工艺技术制造,具有高容量、低功耗和快速读写速度的特点。该芯片广泛应用于需要大容量数据存储的设备中,例如固态硬盘(SSD)、USB 闪存盘、嵌入式系统以及消费类电子设备。
  CBR02C129A8GAC 的设计注重可靠性与稳定性,能够满足工业级和消费级应用场景的需求。其多平面架构支持高效的并发操作,从而显著提高数据吞吐量。

参数

容量:128GB
  接口类型:Toggle Mode 2.0
  工作电压:1.8V ± 0.1V
  最大读取速度:500 MB/s
  最大写入速度:300 MB/s
  擦除周期:3000 次 (典型值)
  封装形式:BGA 169 球
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据保持时间:10 年

特性

CBR02C129A8GAC 提供了卓越的性能表现和可靠的数据保护机制。它采用了 3D NAND 技术,相比传统的 2D NAND,在相同面积下实现了更高的存储密度。
  该芯片具备 ECC(错误校正码)功能,可以有效检测并修复数据传输或存储过程中的错误,确保数据完整性。
  此外,CBR02C129A8GAC 支持 Wear-Leveling 技术,通过均衡使用各个存储单元,延长了产品的使用寿命。
  它的低功耗设计使其非常适合对能效要求较高的移动设备和便携式电子产品。
  同时,这款芯片兼容多种主流控制器,便于集成到不同的系统平台中。

应用

CBR02C129A8GAC 主要用于需要高效存储解决方案的场景,包括但不限于:
  - 固态硬盘(SSD)
  - USB 闪存盘
  - 嵌入式存储模块
  - 智能手机和平板电脑等消费类电子产品
  - 工业控制设备
  - 监控录像存储系统
  由于其出色的性能和可靠性,CBR02C129A8GAC 成为众多厂商在开发大容量存储产品时的首选方案。

替代型号

CBR02C129A8GBC, CBR02C129A8GCC

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CBR02C129A8GAC参数

  • 数据列表CBR02C129A8GAC
  • 标准包装15,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CBR
  • 电容1.2pF
  • 电压 - 额定10V
  • 容差±0.05pF
  • 温度系数C0G,NP0
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 尺寸/尺寸0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.013"(0.33mm)
  • 引线间隔-
  • 特点高 Q 值,低损耗
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-