WPE30VD3BB是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率电子开关器件,主要应用于高频率、高效率的电源转换场景。该器件采用了先进的封装工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提升系统性能并降低能量损耗。
这款芯片特别适合用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动以及工业自动化等领域,能够满足现代电子设备对高效能和小体积的需求。
型号:WPE30VD3BB
类型:GaN FET
Vds(漏源电压):650V
Rds(on)(导通电阻):140mΩ
Id(持续漏极电流):30A
Qg(栅极电荷):25nC
Coss(输出电容):850pF
封装形式:TO-247-3
工作温度范围:-55℃ to +175℃
WPE30VD3BB的主要特点是其使用了第三代半导体材料氮化镓(GaN),这赋予了它相比传统硅基MOSFET更优异的电气性能。
1. 高开关频率:由于其较低的寄生电容和电感,WPE30VD3BB可以支持高达数MHz的工作频率,从而减小无源元件的尺寸和成本。
2. 极低的导通电阻:Rds(on)仅为140毫欧,减少了导通状态下的功耗损失。
3. 快速开关特性:具备超快的开关速度和低栅极电荷,降低了开关过程中的动态损耗。
4. 热性能优越:采用TO-247-3大功率封装,保证了良好的散热性能,能够在高温环境下稳定运行。
5. 耐高压能力:最大耐压可达650伏特,适用于多种高压应用场景。
WPE30VD3BB广泛应用于各类高性能电力电子设备中,具体包括:
1. 开关电源(SMPS):在AC-DC或DC-DC变换器中作为主开关管,提供高效的功率转换。
2. 充电器:应用于手机、笔记本电脑等便携式设备的快速充电器,提升充电效率。
3. 电机驱动:用于工业级或消费级电机控制电路,实现精准的速度调节与节能效果。
4. 太阳能逆变器:帮助将直流电转化为交流电,提高可再生能源利用效率。
5. 通信电源:为基站和其他通信设施提供可靠且高效的电源解决方案。
6. 工业自动化:支持各种工业控制系统的高效能源管理。
WPE30VD3AB, WPE30VD3CB