时间：2025/9/15 1:01:37
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PHP191NQ06LT是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源管理应用。该器件采用先进的TrenchMOS技术，提供低导通电阻和高电流处理能力，适用于如DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统等应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：190A（在Tc=25°C时）
导通电阻（Rds(on)）：3.7mΩ（最大值，Vgs=10V）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
安装类型：表面贴装（SMD）
PHP191NQ06LT具有低导通电阻（Rds(on)），可降低导通损耗并提高系统效率。其采用的TrenchMOS技术优化了电流传导性能，同时减少了芯片尺寸和热阻，从而提升了热管理能力。
该器件的高电流处理能力（最高可达190A）使其适用于高功率密度设计，如服务器电源、工业电机控制和电池管理系统。此外，其宽广的工作温度范围（-55°C至175°C）确保了在极端环境下的可靠运行。
PHP191NQ06LT还具备良好的栅极电荷特性，有助于降低开关损耗，从而在高频开关应用中表现优异。其±20V的栅源电压耐受能力增强了在高电压应力环境下的稳定性。
封装方面，该器件采用PowerFLAT 5x6封装，具有较小的占板面积和良好的散热性能，适用于高密度PCB设计。该封装也支持自动光学检测（AOI），提高了生产过程中的检测效率和良品率。
PHP191NQ06LT广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备。在服务器和通信设备的电源模块中，该器件用于实现高效率的电压调节和功率分配。在电机控制中，它能够提供稳定的电流驱动能力，支持高扭矩输出和精确的速度控制。此外，该MOSFET也适用于新能源系统，如太阳能逆变器和储能系统中的功率开关应用。
SiR190DP-T1-GE3, IRF191NQ06D, STD190N6F7AG
