时间：2025/6/12 5:07:48
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WPE28VD3BB是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用N沟道增强型设计。该器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性，适用于多种电力电子应用领域。其封装形式为TO-263（D2PAK），具备良好的散热性能，能够满足大电流和高电压的工作需求。
该芯片主要应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等场景。通过优化的制造工艺和结构设计，WPE28VD3BB在降低功耗和提高效率方面表现出色。
漏源极击穿电压：30V
连续漏极电流：50A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：70nC
输入电容：1500pF
总功耗：125W
工作温度范围：-55℃至175℃
WPE28VD3BB采用先进的硅工艺技术制造，具有以下特点：
1. 极低的导通电阻确保了在高电流条件下仍然保持较低的功耗。
2. 快速开关能力减少了开关损耗，提高了整体效率。
3. 内置的ESD保护电路增强了器件的可靠性。
4. 优异的热特性和坚固的封装使其能够在恶劣环境下稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保且安全。
这些特性使WPE28VD3BB成为需要高效能和高可靠性的电力电子系统中的理想选择。
WPE28VD3BB广泛应用于各种电力电子设备中，具体包括：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. DC-DC转换器中的高端或低端开关元件。
3. 电动车及工业自动化领域的电机驱动控制。
4. 多种负载开关场合，如服务器、通信设备等的大电流管理。
5. 充电器和适配器的设计，提供高效的功率转换。
凭借其卓越的性能和广泛的适应性，这款芯片能满足不同行业的多样化需求。
WPE28VD2CC, IRFZ44N, FDP55N20
