时间：2025/6/29 7:42:18
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PTVSHC1SF7VBH 是一款基于超结技术（Super Junction）的高压功率 MOSFET，专为高效率和高频开关应用设计。该器件采用 TO-263 封装，具备低导通电阻、快速开关特性和高耐压能力。其典型应用场景包括开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及 PFC（功率因数校正）电路等。
型号：PTVSHC1SF7VBH
封装：TO-263
最大漏源电压（VDS）：700 V
连续漏极电流（ID）：4.5 A
导通电阻（RDS(on)）：1.9 Ω（最大值，25°C）
栅极电荷（Qg）：33 nC（典型值）
输入电容（Ciss）：2480 pF（典型值）
反向恢复时间（trr）：80 ns（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
PTVSHC1SF7VBH 的主要特性包括：
1. 高击穿电压（700V），适用于高压环境下的高效功率转换。
2. 超结技术确保了低导通电阻与高开关速度的结合，从而减少传导损耗和开关损耗。
3. 快速反向恢复时间（trr = 80 ns 典型值），适合高频开关应用。
4. 栅极电荷较低，有助于降低驱动功耗并提升整体系统效率。
5. 工作温度范围宽广（-55°C 至 +175°C），适应极端环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到各种工业和消费类电子设备中。
PTVSHC1SF7VBH 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC 转换器，用于电压调节和功率管理。
3. 电机驱动，特别是需要高电压驱动的小型电机。
4. 功率因数校正（PFC）电路，提升用电设备的能源利用效率。
5. 电池充电器和逆变器，提供稳定的输出和高效的能量转换。
6. 各种工业控制和家电产品中的功率级元件。
IPW70R190CPA, FCH045N70S3, IRFH5301TRPBF
