时间：2025/9/14 4:24:53
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BUK7Y18-55B,115 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于各种高电流和高频率的开关应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：55V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A
导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ（典型值）
封装类型：TO-220AB
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
BUK7Y18-55B,115 具有多个关键特性，使其成为高性能电源应用的理想选择。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体效率。其次，该器件支持高达 80A 的连续漏极电流，使其适用于高功率需求的应用。此外，该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，能够在 10V 至 20V 的范围内稳定工作，提供良好的开关性能。
该器件采用了先进的 Trench 技术，进一步优化了导通电阻和开关速度之间的平衡，减少了开关损耗。同时，其 TO-220AB 封装具有良好的热管理和机械稳定性，确保在高负载条件下也能可靠运行。内置的体二极管提供了反向电流保护，增强了系统的鲁棒性。
此外，BUK7Y18-55B,115 具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作，适用于需要高可靠性的工业和汽车应用。其工作温度范围从 -55°C 到 +175°C，适合在极端环境条件下使用。
BUK7Y18-55B,115 适用于多种功率电子系统，包括 DC-DC 转换器、电机驱动器、电池管理系统、电源管理模块以及汽车电子系统。在 DC-DC 转换器中，该 MOSFET 可用于同步整流和高频开关，以提高转换效率。在电机控制应用中，它能够承受高电流负载，确保平稳运行。此外，该器件还可用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和工业自动化设备中的功率开关电路。
由于其高可靠性和宽工作温度范围，BUK7Y18-55B,115 也常用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及电池管理系统（BMS）。在这些应用中，MOSFET 需要在高温和高振动环境下保持稳定性能，而该器件的设计正好满足这些苛刻条件。
STP80NF55-05, IRF1405, FDP80N55S, BUK7K18-55A
