时间：2025/5/23 0:34:04
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MMUN2214LT1G 是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的N沟道增强型MOSFET晶体管。它采用了LFPAK封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，非常适合用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用场合。
该器件的优异性能使其成为功率电子设计中不可或缺的元件之一，同时其紧凑的封装形式也有助于节省PCB空间。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：56A
导通电阻（典型值，Vgs=10V）：1.4mΩ
总功耗：23W
工作结温范围：-55℃至175℃
封装类型：LFPAK56D
MMUN2214LT1G具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
3. 快速开关速度，适合高频应用环境。
4. 小型化封装设计，有利于降低系统整体尺寸。
5. 宽广的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
这款MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器和充电器。
2. DC-DC转换器中的同步整流。
3. 各类电机驱动控制电路。
4. 汽车电子设备，例如车载充电系统和LED驱动。
5. 工业自动化领域的功率管理模块。
6. 电池保护与管理系统（BMS）。
NTMFS4C706NL, IRF7842TRPBF
