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FDS89161 发布时间 时间:2025/7/4 6:35:34 查看 阅读:16

FDS89161是一款N沟道增强型MOSFET,采用先进的制造工艺设计,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。它广泛适用于各种电源管理应用,包括DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等场景。该器件能够提供高效率和出色的热性能,适合需要高性能和小尺寸解决方案的设计。
  FDS89161采用了TO-252(DPAK)封装形式,有助于简化PCB布局并提高散热能力。其优化的电气特性使其成为高频开关应用的理想选择。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):14A
  导通电阻(Rds(on)):30mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗(Ptot):2.2W
  工作温度范围(Ta):-55°C至+150°C
  栅极电荷(Qg):11nC
  反向传输电容(Crss):230pF

特性

FDS89161具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关速度,降低开关损耗,特别适用于高频开关电路。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的可靠性。
  4. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的合规性要求。
  5. 小型化封装,便于在空间受限的应用中使用。
  6. 可靠的电气性能和宽广的工作温度范围,确保在多种环境下的稳定运行。

应用

FDS89161适用于以下应用场景:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2.。
  3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  4. 各种工业设备中的电机驱动控制。
  5. 消费类电子产品中的保护电路和功率分配开关。
  6. 通信设备中的电源管理和信号切换功能。电子中的低边开关和电池接口保护。

替代型号

FDP89161
  IRF740
  STP14NM60

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FDS89161参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C105 毫欧 @ 2.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs4.1nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds210pF @ 50V
  • 功率 - 最大1.6W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FDS89161TR