时间：2025/6/26 18:29:31
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WPE12VD3BB是一款高性能的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。它适用于需要高效功率转换的应用场景，例如开关电源、电机驱动和负载切换等。WPE12VD3BB支持表面贴装封装，便于自动化生产和提高电路板空间利用率。
最大漏源电压：60V
最大连续漏电流：14A
最大栅极源极电压：±20V
导通电阻：5.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗：180W
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-263-3
WPE12VD3BB具有非常低的导通电阻，可以显著降低传导损耗，从而提高系统的整体效率。
其快速开关特性使其非常适合高频应用环境，同时减少开关损耗。
由于采用了先进的散热设计，该器件能够在较高的结温下稳定工作。
具备出色的雪崩能力和抗静电能力，增强了产品的可靠性。
通过优化的栅极电荷设计，能够有效降低驱动功耗，简化驱动电路设计。
WPE12VD3BB广泛应用于各种功率电子领域，包括但不限于以下应用：
1. 开关模式电源（SMPS），如AC-DC适配器和DC-DC转换器。
2. 电机控制，用于家用电器中的无刷直流电机驱动。
3. 负载开关和保护电路，提供过流及短路保护功能。
4. 电池管理系统中的充放电控制。
5. 工业设备中的功率调节与管理。
IRFZ44N
STP14NM60
FDP15U60E
