时间：2025/4/25 17:46:21
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B80NF55-08 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频开关应用。其设计旨在提供低导通电阻和快速开关性能，适用于消费电子、工业控制以及汽车电子等领域。
B80NF55-08 的封装形式通常为 TO-220，具备良好的散热性能。该器件支持较高的漏源电压，能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。
漏源电压(Vdss)：55V
连续漏极电流(Id)：4A
栅极阈值电压(Vgs(th))：2V~4V
导通电阻(Rds(on))：130mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总功耗(Ptot)：76W
工作结温范围(Tj)：-55℃~150℃
B80NF55-08 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 快速开关速度，适合高频应用环境。
3. 高雪崩能量能力，提升了器件的可靠性与鲁棒性。
4. 小型化封装，便于 PCB 布局及散热管理。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品的制造需求。
B80NF55-08 广泛应用于多种领域，包括但不限于以下场景：
1. 开关电源（SMPS）中的高频开关元件。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. LED 照明系统的调光和开关控制。
4. 各类电池管理系统（BMS）中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的继电器替代和功率控制。
由于其出色的性能和稳定性，B80NF55-08 成为许多工程师在设计中选择的理想 MOSFET 器件。
BSC045N06LS G,
STP45NF06L,
IRFZ44N,
FDP55N06L
