时间：2025/8/20 7:25:03
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WPCT201BA0WGTAMPR 是由 Vishay Intertechnology 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。这款器件专为高效率电源管理和开关应用而设计，适用于各种工业和消费类电子设备。
类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
极性：N 沟道
漏源电压（Vds）：200 V
栅源电压（Vgs）：±20 V
连续漏极电流（Id）：11 A
功耗（Pd）：125 W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：TO-220AB
导通电阻（Rds(on)）：0.24 Ω @ Vgs = 10 V
栅极电荷（Qg）：42 nC @ Vgs = 10 V
漏源击穿电压（BVDSS）：200 V
WPCT201BA0WGTAMPR 的设计使其在高电压和高电流条件下具有优异的性能表现。该器件采用了先进的沟槽技术，确保了低导通电阻，从而减少了导通损耗并提高了效率。
其高耐用性和稳定性使其适用于各种电源转换应用，包括DC-DC转换器、开关电源（SMPS）以及电机控制电路。此外，该MOSFET具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定运行。
该器件的TO-220AB封装提供了良好的散热能力，确保在高负载条件下仍能保持较低的温度上升。同时，该封装形式广泛应用于工业标准设计中，便于安装和替换。
由于其高栅极电荷（Qg）值，WPCT201BA0WGTAMPR 适用于中等频率的开关应用，能够在保证效率的同时实现较高的开关速度。
该MOSFET广泛应用于多种电源管理系统中，包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、电池充电器、DC-DC转换器、电机驱动器和工业自动化设备中的功率控制电路。此外，它也适用于LED照明系统、太阳能逆变器和家用电器中的功率管理模块。
IRFZ44N, STP12NM50N, FDPF20N20, SiHF20N20
