型号：DMN2112SN
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　漏源电压（VDS）：-20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：-1.7A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-4.2A
　　导通电阻RDS(on)：-75mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻RDS(on)：-95mΩ @ VGS = -2.5V
　　栅极阈值电压（Vth）：-0.8V ~ -1.4V
　　输入电容（Ciss）：270pF @ VDS = -10V
　　反向恢复时间（trr）：16ns
　　功耗（Pd）：300mW

DMN2112SN具备出色的导通性能和快速开关响应能力，这主要得益于其采用的先进沟槽型MOSFET工艺。该工艺显著降低了导通电阻RDS(on)，在VGS = -4.5V时典型值仅为75mΩ，而在更低的驱动电压VGS = -2.5V下也能保持在95mΩ以内，这对于电池供电系统尤为重要，因为它有助于减少能量损耗并延长续航时间。低RDS(on)还意味着在相同电流条件下产生的热量更少，提升了系统的整体热管理效率。
　　该器件的栅极阈值电压范围为-0.8V至-1.4V，表明它可以在较低的控制信号下实现完全导通，兼容3.3V或更低逻辑电平的微控制器输出，无需额外的电平转换电路，简化了设计复杂度。同时，其输入电容仅为270pF，在高频开关应用中表现出较低的驱动损耗，有利于提升开关电源或DC-DC转换器的工作频率和效率。
　　SOT-23封装不仅体积小巧，便于高密度布局，而且具备良好的散热性能，能够在有限的空间内实现高效的功率切换功能。尽管封装较小，但其仍能支持高达-1.7A的连续漏极电流，适用于轻载电源开关、LED驱动、热插拔控制等场景。此外，反向恢复时间较短（16ns），有助于减小体二极管在感性负载关断时的能量损耗，提升系统可靠性。
　　DMN2112SN还集成了较强的ESD防护能力，人体模型（HBM）耐压可达2kV以上，提高了在生产和运输过程中的安全性。器件符合AEC-Q101车规级可靠性测试标准的部分要求，虽然不专门标定为汽车级，但仍可在工业级甚至部分车载环境中稳定运行。总体而言，DMN2112SN以其高性能、小尺寸和高可靠性，成为众多低功率P沟道MOSFET应用中的优选方案。

DMN2112SN广泛应用于各类便携式电子设备中的电源开关与负载控制，例如智能手机和平板电脑中的背光驱动、摄像头模块供电控制以及外设电源管理。由于其低导通电阻和小封装特性，非常适合用于电池供电系统的负载开关，实现对不同子系统的上电时序控制和节能管理。在移动电源、蓝牙耳机、智能手表等可穿戴设备中，该器件可用于主控芯片的电源通断控制，以降低待机功耗。
　　在工业控制领域，DMN2112SN可用于传感器模块的电源门控，当系统进入休眠模式时切断外围传感器供电，从而大幅降低整机静态电流。此外，它也常见于USB接口的过流保护和热插拔控制电路中，作为P沟道高端开关使用，提供安全可靠的连接管理。
　　在消费类电子产品如无线路由器、智能家居网关中，该MOSFET可用于多路电源轨的使能控制，配合MCU实现动态电源管理策略。在DC-DC转换器中，DMN2112SN可作为同步整流开关或辅助开关元件，提升转换效率。其快速开关能力和低栅极电荷特性也有助于减少开关噪声，改善电磁兼容性（EMC）表现。
　　此外，该器件还可用于LED指示灯驱动电路，特别是在需要精确控制亮度和开关速度的应用中表现出色。由于其具备良好的温度稳定性和长期可靠性，也可应用于环境条件较为严苛的工业仪表和医疗便携设备中，作为关键的功率开关元件。

AO3401A
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