时间：2025/4/29 14:03:24
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WP26DK-S010VA3-R15000 是一款高性能功率 MOSFET，主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换等应用领域。该器件采用了先进的制造工艺，具备高效率、低导通电阻以及快速开关特性。
这款功率 MOSFET 属于 N 沟道增强型器件，适用于工业及消费类电子产品的多种场景。
型号：WP26DK-S010VA3-R15000
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：60V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：40A
导通电阻（Rds(on)）：1.5mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷（Qg）：70nC（典型值）
开关时间：ton=8ns，toff=15ns（典型值）
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
WP26DK-S010VA3-R以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有效减少功率损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关速度，能够适应高频应用环境。
3. 高额定电流能力，满足大功率负载需求。
4. 强化热性能设计，支持长时间稳定运行。
5. 宽泛的工作温度范围，适合恶劣环境下的使用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，提供高效的功率转换。
2. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或步进电机。
3. 工业自动化设备中的负载切换。
4. 新能源汽车的电池管理系统（BMS）和逆变器模块。
5. 便携式电子设备中的高效 DC-DC 转换器。
6. 其他需要高性能功率管理的应用场景。
IRFZ44N
FDP5500
STP55NF06L
