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IX2410DIB002 发布时间 时间:2025/8/27 23:08:30 查看 阅读:4

IX2410DIB002 是由 IXYS 公司生产的一款高性能、高压、高速的双路栅极驱动器集成电路,专为驱动功率 MOSFET 和 IGBT 设计。该芯片采用 DIP-14 封装形式,适用于各种开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和 UPS 等应用。其设计目标是提供高驱动能力、快速响应时间以及良好的抗干扰能力,以确保功率器件在高频开关条件下稳定工作。

参数

供电电压:10V 至 20V
  输出驱动电压:最大 20V
  输出峰值电流:±1.5A
  输入逻辑电压:3.3V/5V/15V 兼容
  传播延迟时间:典型值 80ns
  上升/下降时间:典型值 15ns(负载为 1nF)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装形式:DIP-14

特性

IX2410DIB002 采用高压电平转换技术,能够在高 dv/dt 环境下稳定工作,有效防止误触发。其双路独立驱动输出(High-Side 和 Low-Side)设计适用于半桥或全桥拓扑结构。
  该芯片内置欠压保护功能(UVLO),当电源电压低于设定阈值时会自动关闭输出,防止功率器件在非饱和区工作,从而避免过热和损坏。
  此外,IX2410DIB002 具有较高的抗噪声能力,输入端采用施密特触发器设计,提高了输入信号的稳定性。输出驱动能力强,能够快速充放电 MOSFET 或 IGBT 的栅极电容,降低开关损耗,提高系统效率。
  芯片还具有低静态电流和高输出驱动能力的平衡设计,适用于高频开关应用。其封装形式为 DIP-14,便于插件安装和散热处理,适用于工业控制和电源系统中的广泛应用。

应用

IX2410DIB002 广泛应用于各种高频开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动器、UPS 不间断电源以及工业自动化设备中。其高可靠性和高驱动能力使其特别适用于需要高效率和高稳定性的功率转换系统。
  在电机控制领域,IX2410DIB002 可用于驱动三相逆变桥中的 IGBT 或功率 MOSFET,实现对电机速度和转矩的精确控制。
  在电源系统中,该芯片适用于 LLC 谐振变换器、同步整流电路以及推挽式或半桥式拓扑结构的设计。其高压耐受能力和快速响应特性也使其在光伏逆变器和储能系统中具有良好的应用表现。
  此外,IX2410DIB002 也常用于电池管理系统(BMS)中的功率开关控制,确保电池充放电过程中的安全与高效。

替代型号

IX2410DIP002, IR2110, TC4420, LM5112

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