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GA1812A681JXLAT31G 发布时间 时间:2025/7/2 13:07:11 查看 阅读:7

GA1812A681JXLAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能,能够有效提升系统的效率和可靠性。
  这款 MOSFET 属于 N 沟道增强型,设计用于高电流和高电压的应用场景。其封装形式为 TO-247,能够提供出色的散热性能,适用于要求严苛的工作环境。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:31A
  导通电阻:40mΩ
  栅极电荷:95nC
  开关频率:100kHz~500kHz
  工作温度范围:-55℃~175℃

特性

1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 高击穿电压和大电流处理能力,确保在高压和大功率应用中的稳定性。
  3. 快速开关特性,减少开关损耗,适合高频开关应用。
  4. 内置静电保护功能,增强器件的抗干扰能力。
  5. 良好的热性能,能够在高温环境下长期可靠运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且安全。

应用

1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
  2. 电机驱动与控制
  3. 工业自动化设备
  4. 太阳能逆变器
  5. 电动汽车充电装置
  6. 高效功率管理系统

替代型号

IRFP260N, STW120N65M2, FQA32N65S7

GA1812A681JXLAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容680 pF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定630V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 长 x 0.126" 宽(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-