2N60：漏源电压(Vds)：600V，连续漏极电流(Id)：2A，导通电阻(Rds(on))：约3.0Ω，栅极电荷(Qg)：15nC，封装形式：TO-220。
　　4N60：漏源电压(Vds)：600V，连续漏极电流(Id)：4A，导通电阻(Rds(on))：约2.5Ω，栅极电荷(Qg)：22nC，封装形式：TO-220。
　　5N60：漏源电压(Vds)：600V，连续漏极电流(Id)：5A，导通电阻(Rds(on))：约2.0Ω，栅极电荷(Qg)：28nC，封装形式：TO-220。

2N60、4N60 和 5N60 系列MOSFET具有高击穿电压（600V），能够承受较高的工作电压，适用于开关电源、适配器、充电器和工业控制电路。它们采用了先进的平面工艺技术，具有较低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高效率。此外，这些器件具备良好的热稳定性和较高的可靠性，适合在较恶劣的环境下工作。栅极驱动电压一般为10V至20V之间，确保完全导通状态。器件内部通常包含一个快速恢复的体二极管，适用于需要反向电流续流的应用场景。它们的封装形式（如TO-220）便于安装和散热设计，适合于多种PCB布局环境。
　　2N60适用于中低功率的开关电源和电机控制应用；4N60则适用于中功率应用，如LED驱动电源和小型逆变器；5N60因其更高的额定电流能力，适用于更高功率的电源转换器、电源适配器和工业自动化设备。三者在封装和引脚排列上基本一致，方便在设计中进行互换或升级。

2N60、4N60 和 5N60 主要用于各类功率电子设备中，包括开关电源（SMPS）、AC/DC转换器、DC/DC转换器、LED照明驱动电路、电机控制器、电源适配器、充电器、逆变器、UPS不间断电源、工业自动化控制系统以及各种需要高电压隔离和高效功率切换的场合。它们的高耐压能力和不同等级的电流处理能力，使其能够根据设计需求选择合适的型号进行电路设计。

2N60的替代型号包括：2N60B、FQP2N60、STP2N60、IRFBC20、K2645；
　　4N60的替代型号包括：4N60C、FQP4N60、STP4N60、IRFBC30、K2647；
　　5N60的替代型号包括：5N60C、FQP5N60、STP5N60、IRFBC40、K2648。