时间：2025/4/29 9:11:06
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CBW322513U190T 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，专为高频和高功率密度应用场景设计。该器件采用增强型场效应晶体管（eGaN FET）结构，具有超低导通电阻和极快的开关速度，适合用于 DC-DC 转换器、无线充电设备以及激光雷达等应用领域。
CBW322513U190T 的封装形式为符合行业标准的小型表面贴装封装，有助于简化 PCB 设计并提高散热性能。
型号：CBW322513U190T
类型：增强型 GaN 场效应晶体管
工作电压：600V
连续漏极电流：14A
导通电阻：19mΩ
栅极电荷：40nC
反向恢复时间：无（由于 GaN 技术，无体二极管效应）
封装形式：LLGA-8
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
CBW322513U190T 提供了卓越的电气性能和可靠性。其主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有效减少传导损耗，提升整体效率。
2. 快速开关能力，支持 MHz 级别的工作频率，适用于高频开关电源和逆变器。
3. 高击穿电压 (600V)，确保在高压环境下的稳定运行。
4. 没有传统硅 MOSFET 中的体二极管效应，消除了反向恢复损耗。
5. 小型化封装设计，节省空间并优化热管理。
6. 宽广的工作温度范围，适应各种恶劣环境条件。
7. 具备出色的 EMI 特性，减少对外部干扰的影响。
这些特点使 CBW322513U190T 成为需要高性能功率转换和控制应用的理想选择。
CBW322513U190T 广泛应用于以下领域：
1. 高频 DC-DC 转换器，特别是笔记本电脑适配器和服务器电源。
2. 快速充电器，支持 USB-PD 协议。
3. 无线充电系统，提供高效能量传输。
4. 激光雷达 (LiDAR) 系统中的脉冲驱动电路。
5. 工业电机驱动和伺服控制器。
6. 可再生能源领域的微型逆变器。
7. 电信基础设施中的高效电源模块。
其高效率和紧凑设计使得它非常适合对体积和重量敏感的应用场景。
CBW322513U150T
CBD322513U190T
