电容值：820μF
　　额定电压：2.5V
　　容差：±20%
　　工作温度范围：-55°C ~ +125°C
　　温度特性：X5R
　　封装尺寸：1210（3225公制）
　　长度：3.2mm
　　宽度：2.5mm
　　高度：1.6mm
　　最大DC偏置电压下的电容变化：符合X5R规范
　　等效串联电阻（ESR）：典型值低于10mΩ（具体值依频率而定）
　　纹波电流额定值：依据测试条件而定，支持高频应用
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　介质材料：陶瓷（Class II, X5R）
　　层数结构：多层
　　端接类型：镍阻挡层/锡镀层（Ni-Sn）
　　耐焊接热：符合IEC 60068-1标准
　　使用寿命：在额定条件下可达数万小时

LGN2Z821MELZ40多层陶瓷电容器采用了先进的X5R型介电材料，这种材料在较宽的温度范围内（-55°C至+85°C）能够保持电容值的稳定性，电容变化不超过±15%，显著优于其他类别如Y5V材料。这一特性使其非常适合用于对电容稳定性要求较高的去耦、旁路和滤波电路中。该器件的多层结构设计不仅提升了单位体积内的电容密度，还有效降低了等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），从而增强了其在高频开关电源中的噪声抑制能力。
　　该电容器具备优异的机械强度和抗热冲击性能，能够在回流焊过程中承受高达260°C的峰值温度而不损坏内部结构。其端电极采用镍阻挡层加锡镀层的设计，提供了良好的可焊性和长期可靠性，防止银迁移现象的发生，提高了在潮湿环境下的耐久性。此外，LGN2Z821MELZ40符合RoHS指令和无卤素要求，满足现代绿色电子产品的发展趋势。
　　在可靠性方面，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温高湿偏置测试（H3TRB）、温度循环测试（TCT）和耐久性寿命测试，确保在恶劣工作环境下仍能维持稳定的电气性能。其低老化率特性也意味着电容值随时间推移的变化极小，保障了系统长期运行的一致性。由于其出色的综合性能，LGN2Z821MELZ40常被用于服务器电源模块、FPGA供电网络、DC-DC转换器输出滤波以及汽车信息娱乐系统等高端应用场合。

LGN2Z821MELZ40因其高电容密度、低ESR和宽工作温度范围，被广泛应用于多个高要求的电子领域。在通信基础设施中，它常用于基站射频模块的电源去耦，有效滤除高频噪声，提升信号完整性。在工业自动化控制系统中，该电容器用于PLC控制器和传感器接口电路的稳压滤波，确保控制信号的精确传输。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理单元（PMU）中，LGN2Z821MELZ40作为关键的旁路电容，为处理器和内存提供稳定的电压供应，减少电压波动对性能的影响。在汽车电子领域，该器件可用于车载信息娱乐系统、ADAS（高级驾驶辅助系统）模块和车身控制模块的电源滤波电路，满足AEC-Q200标准对车规级元件的严苛要求。
　　此外，在医疗设备和航空航天电子系统中，LGN2Z821MELZ40凭借其高可靠性和长期稳定性，被用于精密仪器的电源调理电路，确保设备在关键任务中的正常运行。在可再生能源系统如太阳能逆变器和风力发电控制器中，该电容器也承担着平滑直流母线电压的重要角色，提高能源转换效率。其表面贴装封装形式便于自动化贴片生产，提升了整机制造的良率和一致性。

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　　 "GRM32DR71E826KA12L",
　　 "C3225X5R1E826K160AC",
　　 "CL31B826KBHNNNE",
　　 "EMK325BJ826KL-T"
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