CBL2012T1R0M 时间：2025/12/27 9:38:12 阅读：16

CBL2012T1R0M是一款由华新科技（Walsin Technology Corporation）生产的片式铁氧体磁珠，属于CBL系列，封装尺寸为2012（公制代码2012，即0805英制），额定阻抗为1.0Ω，允许偏差为±20%。该器件主要用于抑制高频噪声，广泛应用于各类电子电路中的信号线或电源线滤波。作为表面贴装型磁珠，CBL2012T1R0M具有小型化、低直流电阻和良好的高频特性，适用于高密度组装的便携式电子产品。其结构基于多层铁氧体陶瓷材料与内部电极交错叠层设计，利用铁氧体材料在高频下呈现的高阻抗特性，将不必要的高频噪声以热能形式耗散，从而实现电磁干扰（EMI）的抑制。该元件在正常工作条件下对直流或低频信号呈现极低的阻抗，几乎不影响主信号传输，但在MHz至GHz频率范围内可提供有效的噪声衰减，确保系统的电磁兼容性（EMC）性能。此外，CBL2012T1R0M具备良好的焊接可靠性与温度稳定性，适合回流焊工艺，并能在较宽的环境温度范围内稳定工作，是现代通信设备、消费类电子产品和便携式终端中常见的被动元件之一。

参数

型号：CBL2012T1R0M
　　制造商：Walsin（华新科技）
　　封装尺寸：2012（0805）
　　阻抗（100MHz）：1.0Ω ±20%
　　直流电阻（DCR）：最大0.45Ω
　　额定电流：500mA
　　工作温度范围：-55℃ ~ +125℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +155℃
　　产品类型：表面贴装磁珠
　　材质：多层铁氧体陶瓷
　　端电极：Ni/Sn镀层，符合RoHS要求

特性

CBL2012T1R0M的核心特性在于其优异的高频噪声抑制能力与极低的直流电阻相结合，使其在保持电源效率的同时有效提升系统抗干扰能力。
　　该磁珠采用先进的多层片式结构，通过精密印刷技术和高温共烧工艺制造，确保了器件内部磁场分布均匀且具有高度一致性。其铁氧体材料配方经过优化，在100MHz至1GHz频段内展现出平缓上升的阻抗曲线，能够在不引起信号反射或失真的前提下吸收高频噪声能量。由于其直流电阻（DCR）典型值仅为0.35Ω，最大不超过0.45Ω，因此在通过500mA工作电流时产生的压降和功耗非常小，适用于对功耗敏感的电池供电设备如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
　　此外，CBL2012T1R0M具备出色的温度稳定性和长期可靠性，在极端温度循环和高湿环境下仍能保持性能稳定，符合AEC-Q200等车规级可靠性标准的部分测试要求，可用于车载信息娱乐系统等对环境耐受性有较高需求的应用场景。
　　其2012小型封装不仅节省PCB空间，还支持自动化贴片生产，兼容标准SMT工艺流程，包括红外和热风回流焊，确保大规模生产的良率和一致性。
　　值得一提的是，该磁珠不具备明显的饱和电流下降问题，在额定电流范围内电感特性变化较小，避免了传统电感器在大电流下磁芯饱和导致滤波性能失效的问题，因此特别适合作为局部去耦或信号线滤波元件使用。
　　整体而言，CBL2012T1R0M凭借其低损耗、高可靠性与良好高频响应，成为现代高速数字电路中不可或缺的EMI抑制元件之一。

应用

CBL2012T1R0M广泛应用于各类需要高频噪声抑制的电子设备中，尤其适合用于便携式消费类电子产品和高密度集成系统。
　　在移动通信设备中，它常被部署于基带处理器、射频模块和摄像头模组的供电线路中，用于滤除开关电源引入的纹波噪声以及数字电路产生的高频干扰，保障信号完整性。
　　在LCD或OLED显示驱动电路中，该磁珠可安装在VDD供电路径上，防止高速数据切换引起的串扰影响画面质量。
　　此外，在USB、HDMI、MIPI等高速信号线附近作为局部滤波元件，CBL2012T1R0M能够有效抑制共模噪声传播，提升接口的电磁兼容性能。
　　在电源管理单元（PMU）输出端，配合去耦电容构成π型或L型滤波网络，可进一步降低噪声耦合到敏感模拟电路（如音频放大器、传感器供电）的风险。
　　该器件也常见于Wi-Fi、蓝牙和NFC等无线模块的电源入口处，帮助满足FCC、CE等电磁辐射认证要求。
　　由于其小型化特性，特别适用于空间受限的可穿戴设备、TWS耳机、智能手表和物联网终端等产品中。
　　在工业控制和汽车电子领域，尽管其额定电流和阻抗值偏低，但仍可用于低功率信号调理电路或辅助电源滤波，提升系统抗干扰能力。
　　总体来看，CBL2012T1R0M适用于所有需在有限空间内实现高效EMI抑制的场合，是工程师进行噪声治理时常用的标准化解决方案之一。