时间：2025/7/12 15:54:02
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IRFR9120TRPBF 是一款由 Infineon（英飞凌）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-252 (DPAK) 封装，适用于需要高效率和低功耗的应用场景。其出色的导通电阻特性使得它在电源管理、电机驱动、开关电源以及负载切换等应用中表现出色。
该器件的主要特点是低导通电阻（Rds(on)），从而降低了功率损耗，并且具有较高的漏极电流承载能力，使其能够在各种严苛条件下稳定工作。
最大漏源电压：40V
最大漏极电流：16A
导通电阻：3.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 的条件下）
栅极电荷：7nC（典型值）
输入电容：580pF（典型值）
连续工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-252 (DPAK)
功耗：80W（典型值）
IRFR9120TRPBF 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的可靠性。
3. 快速开关性能，降低开关损耗。
4. 紧凑的 DPAK 封装设计，便于 PCB 布局和散热管理。
5. 宽工作温度范围，适应各种环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代电子产品的生产要求。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器和降压/升压转换器。
3. 电机驱动电路，例如步进电机和无刷直流电机控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 电池管理系统（BMS）中的保护电路。
6. 电信和网络设备中的高效功率转换解决方案。
IRF9120NTRPBF, IRFR9122TRPBF
