PQ1CG21H 时间：2025/8/28 22:29:04 阅读：7

PQ1CG21H 是一款由Rohm（罗姆）半导体公司制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效能、高频率的功率转换应用，广泛应用于DC-DC转换器、电源管理系统以及负载开关等场景。PQ1CG21H采用小型化封装技术，具备良好的热性能和电气性能，适合在空间受限的设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：50mΩ（典型值，Vgs=4.5V）
　　功耗（Pd）：1.2W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23

特性

PQ1CG21H具备多项优异特性，使其适用于多种电源管理场景。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高电源转换效率，特别适合于高频率开关应用。器件支持高达4A的连续漏极电流，能够在中等功率应用中提供稳定可靠的性能。
　　此外，PQ1CG21H采用SOT-23封装，体积小巧，适合在高密度PCB布局中使用。其良好的热管理特性确保在较高工作温度下仍能保持稳定运行，适用于工业级温度范围（-55°C至150°C）。
　　该MOSFET还具备快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。同时，其栅极驱动电压范围宽泛，兼容常见的3.3V和5V逻辑电平，便于与各种控制电路（如微控制器、PWM控制器）配合使用。
　　另外，PQ1CG21H具有较强的抗过载和短路能力，在电源管理、负载开关和电池供电系统中表现出色，适合用于便携式电子设备、通信设备和传感器模块等应用场景。

应用

PQ1CG21H广泛应用于各类电子设备中的功率管理和电源转换系统。常见的应用包括DC-DC升压/降压转换器、同步整流器、负载开关、电池保护电路、LED驱动器以及各种需要高效能、小尺寸MOSFET的嵌入式系统。
　　该器件特别适合用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、智能手表和无线耳机等，其中对空间和能效有较高要求的电源管理系统。
　　此外，PQ1CG21H也可用于工业控制设备、传感器模块、物联网（IoT）设备以及各种需要低电压高效率功率开关的场合。其良好的电气特性和封装形式也使其成为汽车电子系统中辅助电源管理模块的理想选择。