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AONS62602 发布时间 时间:2025/4/28 17:12:37 查看 阅读:2

AONS62602是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的高性能N沟道MOSFET。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于各种高效能电源管理应用。AONS62602的封装形式为DFN340-8(3.3x4mm),非常适合对空间要求较高的设计。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:1.5mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:18nC(典型值)
  开关速度:快速
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

AONS62602具备非常低的导通电阻,有助于减少功率损耗并提高效率。同时,其快速开关特性使其非常适合高频开关应用。此外,器件的高电流处理能力和宽温度范围确保了其在多种环境下的可靠运行。
  该器件还采用了无铅封装,符合RoHS标准,适合环保设计需求。
  AONS62602在静态和动态性能方面表现出色,能够有效降低功耗并提升系统整体效能。

应用

AONS62602广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动、电池保护电路以及各种消费类电子产品的电源管理系统中。由于其优异的性能,也常用于通信设备、工业控制和汽车电子等领域。

替代型号

AOSS1112L
  NTMFS4C703
  IRLH004

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AONS62602参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格3,000 : ¥10.66017卷带(TR)
  • 系列AlphaSGT?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)41A(Ta),85A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)2.5 毫欧 @ 20A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)110 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5630 pF @ 30 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)7.3W(Ta),208W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-DFN(5x6)
  • 封装/外壳8-PowerSMD,扁平引线