时间：2025/9/2 0:25:14
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MB84VD21183DA-85PBS-G 是一款由富士通（Fujitsu）公司生产的高性能、低功耗的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件设计用于需要高速数据存取和可靠性的应用，如通信设备、工业控制系统、嵌入式系统以及网络基础设施设备。这款SRAM芯片采用先进的CMOS工艺制造，确保了优异的性能和稳定性。该型号的封装形式为TSOP（薄型小外形封装），适用于空间受限的高密度设计。
容量：18MB（1M x 18位）
电压范围：2.3V 至 3.6V
访问时间：8.5ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：TSOP-II
引脚数：54
封装尺寸：54-TSOP
最大频率：117MHz
输入/输出电压兼容性：3.3V 和 5V 兼容
功耗：典型工作电流约180mA（待机模式下仅10mA）
MB84VD21183DA-85PBS-G 是一款高性能的异步SRAM芯片，具有18MB的存储容量，适用于需要大量高速缓存的应用。该芯片的最大访问时间为8.5ns，支持高达117MHz的操作频率，确保了快速的数据读写能力。其低功耗特性使其在高性能和低功耗要求并存的设计中非常受欢迎。芯片支持宽电压范围（2.3V 至 3.6V），提高了设计的灵活性，并且兼容3.3V和5V的输入/输出电平，方便与多种主控设备连接。
该SRAM芯片内置自动低功耗待机模式，在未被访问时自动降低功耗，从而减少整体系统能耗。此外，该芯片支持工业级工作温度范围（-40°C 至 +85°C），确保在各种严苛环境下稳定运行。其TSOP封装形式不仅节省空间，而且便于自动化装配，适用于高密度PCB布局。MB84VD21183DA-85PBS-G 还具备高抗干扰能力和良好的热稳定性，是工业控制、通信设备和嵌入式系统的理想选择。
MB84VD21183DA-85PBS-G 广泛应用于需要高速、低功耗存储的系统中。典型应用包括通信设备中的缓存存储器、工业控制系统中的高速数据缓冲、嵌入式系统的临时数据存储、网络基础设施设备中的高速缓冲器以及测试测量设备中的临时数据记录。此外，该芯片也常用于需要频繁读写操作的图像处理系统、工业机器人控制模块以及高性能数据采集系统。由于其宽温度范围支持，也适用于汽车电子系统和恶劣工业环境下的嵌入式应用。
IS61LV102418A-8TLI、CY7C1021GN3-8ZSXI、IDT71V1216SA85B、ISSI IS64LV102418A-8TLI、Alliance Memory AS7C31026EC-8TC、Renesas IDT71V1216L85B
