型号：WNS20S100CQ
　　制造商：Wolfspeed (Cree)
　　器件类型：碳化硅肖特基二极管
　　反向重复电压（VRRM）：100V
　　平均整流电流（IF(AV)）：20A
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：180A
　　正向电压降（VF）：典型值1.35V（在20A, 25°C）
　　反向漏电流（IR）：最大40μA（在100V, 25°C），高温下不超过200μA（在100V, 150°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（TSTG）：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-247-2L
　　热阻结至壳（RθJC）：约1.2°C/W
　　安装扭矩：推荐1.3 N·m
　　极性标识：有阴极标记

WNS20S100CQ的核心优势在于其基于碳化硅（SiC）半导体材料所构建的肖特基势垒结构，这种结构从根本上消除了传统硅基PIN二极管中存在的少子存储效应和反向恢复电荷（Qrr）。这意味着在高频开关过程中，该器件不会产生反向恢复电流尖峰，从而大幅降低了开关过程中的能量损耗，并有效抑制了由此引发的电压振铃和电磁干扰（EMI）问题。这一特性使其特别适用于硬开关拓扑如LLC谐振变换器、有源钳位反激（ACF）以及图腾柱PFC电路中，在这些应用场景下，传统硅二极管往往因反向恢复行为导致效率下降甚至器件失效。
　　其次，WNS20S100CQ具备出色的热性能。碳化硅材料本身具有更高的热导率（约为4.9 W/cm·K），使得器件在高功率密度条件下仍能保持较低的结温升幅。同时，其允许最高175°C的工作结温，远高于普通硅器件的150°C限制，这不仅提高了系统的热裕度，也简化了散热设计，允许使用更小尺寸的散热器或实现自然冷却方案，进而减小整体系统体积与成本。此外，该器件在宽温度范围内表现出稳定的电气特性，例如反向漏电流随温度升高虽有所增加，但仍处于可控范围之内，确保了长期运行的可靠性。
　　再者，该二极管拥有较低的正向导通压降（VF），典型值仅为1.35V @ 20A，25°C，即便在高温环境下也能维持相对较低的导通损耗，这对于提升中高负载条件下的系统效率至关重要。配合TO-247封装良好的机械强度与电气绝缘性能，WNS20S100CQ能够在高压、大电流环境中稳定工作。值得一提的是，该器件无需外部缓冲电路即可安全运行于快速关断场景，进一步简化了外围设计。综合来看，WNS20S100CQ凭借其零反向恢复、高效率、高温度耐受性和高可靠性，成为现代高效电源系统中不可或缺的关键元件。

WNS20S100CQ广泛应用于各类高效率、高频率的电力电子系统中，尤其适合对功率密度和能效要求严苛的应用场景。在通信电源与服务器电源领域，该器件常用于功率因数校正（PFC）级中的升压二极管，特别是在图腾柱无桥PFC拓扑中，其零反向恢复特性可显著提升系统效率，达到80 PLUS钛金等级标准。在可再生能源系统中，如光伏（PV）逆变器和储能系统，WNS20S100CQ被用作直流链路的续流或隔离二极管，能够在高温户外环境下长期稳定运行，提升发电效率并延长设备寿命。在电动汽车相关应用中，该器件适用于车载充电机（OBC）和DC-DC转换器模块，帮助实现轻量化、小型化设计的同时提高能源利用率。此外，在工业电源设备如焊接电源、感应加热装置以及不间断电源（UPS）系统中，WNS20S100CQ因其优异的动态响应能力和热稳定性，能够承受频繁启停和瞬态过载工况，保障系统持续可靠运行。在高端消费类电源适配器（如笔记本电脑、游戏主机电源）中，随着氮化镓（GaN）主开关器件的普及，搭配碳化硅二极管已成为提升整体效率的重要手段，WNS20S100CQ正是此类应用的理想配套选择。总之，凡涉及高频开关、高温环境或追求极致能效的电源设计，WNS20S100CQ均展现出强大的竞争力和技术优势。

C4D20100A
　　C4D20100D
　　Vincotech VSI15T25A-LP