时间：2025/6/16 17:56:14
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NTD5804NG是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等需要高效功率控制的场合。NTD5804NG具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够在高频条件下提供卓越的性能。
NTD5804NG采用TO-263封装形式，这种封装不仅提高了散热性能，还便于表面贴装工艺。其设计使得它适合于需要高效率和低损耗的应用场景。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：9.1A
导通电阻：30mΩ
总功耗：30W
工作温度范围：-55℃ to +150℃
NTD5804NG具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，从而降低了传导损耗并提升了系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
3. 较高的开关速度，适用于高频应用环境。
4. 内置ESD保护电路，提升器件的抗静电能力。
5. 符合RoHS标准，环保且易于集成到现代电子设计中。
这些特性使NTD5804NG成为许多高性能功率管理应用的理想选择。
NTD5804NG常用于以下应用场景：
1. 开关电源中的同步整流元件。
2. DC-DC转换器的主开关或同步整流器。
3. 各类电机驱动应用，例如小型风扇、泵和玩具。
4. 电池管理系统中的负载开关或保护元件。
5. 便携式电子设备中的电源管理模块。
其高效的性能和稳定的运行特点使其在众多工业及消费级领域中得到了广泛应用。
NTD5804NL, NTD5804NLG
