LC3564BS-10 时间：2025/9/21 13:53:13 阅读：6

LC3564BS-10是一款由LRC（乐山无线电）生产的N沟道功率MOSFET晶体管，广泛应用于电源管理、开关电路以及电机驱动等高效率、高频率的电子系统中。该器件采用先进的平面栅极工艺制造，具备低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和良好的热稳定性等特点，适用于DC-DC转换器、同步整流、电池供电设备以及其他需要高效能功率开关的场合。LC3564BS-10封装形式为TO-252（D-PAK），便于在PCB上进行安装与散热处理，适合中等功率应用环境。
　　作为一款高性能的场效应管，LC3564BS-10能够在较高的漏源电压下工作，并提供较强的电流承载能力，同时保持较低的功耗。其设计注重可靠性与耐用性，在高温环境下仍能稳定运行。该型号常用于替代国际主流品牌如ST、ON Semiconductor等公司的类似产品，具有较高的性价比优势，因此在国内工业控制、消费电子和电源模块领域得到了广泛应用。

参数

类型：N沟道
　　最大漏源电压(VDS)：100V
　　最大连续漏极电流(ID)：64A
　　最大脉冲漏极电流(ID_pulse)：256A
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　导通电阻(RDS(on))：10mΩ @ VGS=10V, ID=32A
　　导通电阻(RDS(on))：13mΩ @ VGS=4.5V, ID=32A
　　阈值电压(VGS(th))：2.0V ~ 4.0V
　　输入电容(Ciss)：4400pF @ VDS=50V
　　反向恢复时间(trr)：38ns
　　工作结温范围(Tj)：-55℃ ~ +150℃
　　封装：TO-252 (D-PAK)

特性

LC3564BS-10采用先进的平面MOSFET技术，具备极低的导通电阻，典型值仅为10mΩ（在VGS=10V条件下），这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，提高了整体系统的能效表现。这种低RDS(on)特性使其非常适合用于大电流开关应用，例如高效率的DC-DC降压变换器或同步整流电路中，能够有效减少发热并提升电源转换效率。此外，该器件还表现出优异的动态性能，拥有高达4400pF的输入电容和较短的反向恢复时间（trr=38ns），确保了快速的开关响应能力，支持高频工作模式下的稳定运行。
　　该MOSFET具有良好的热稳定性和过载承受能力，能够在结温范围从-55℃到+150℃之间可靠工作，适应各种严苛的工作环境。其栅极结构设计优化了抗噪能力和抗dv/dt干扰性能，减少了误触发的风险，增强了电路的鲁棒性。同时，±20V的最大栅源电压允许在驱动电路设计中有更大的灵活性，兼容多种常见的驱动IC输出电平。TO-252封装不仅提供了优良的散热路径，而且引脚布局符合标准，便于自动化生产和维修替换。综合来看，LC3564BS-10在性能、成本和可靠性方面达到了良好平衡，是中高端功率应用中的理想选择之一。

应用

LC3564BS-10主要应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。常见用途包括开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管，特别是在100V耐压等级的DC-DC转换器中表现优异。由于其低导通电阻和高电流承载能力，该器件也被广泛用于电机驱动电路，如直流无刷电机控制器、电动工具电源模块以及电动车控制器中，用以实现高效的能量传输和精确的电流控制。此外，它还可用于电池管理系统（BMS）中的充放电开关，提供低损耗的通路控制。在工业控制设备中，LC3564BS-10可用于继电器替代、负载开关和H桥驱动电路，提高系统响应速度和可靠性。消费类电子产品如笔记本电脑适配器、LED驱动电源、移动电源等也常采用此类MOSFET来提升效率和减小体积。得益于其TO-252封装的紧凑尺寸和良好散热性能，该器件特别适合空间受限但需较高功率密度的设计场景。