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GA1210H183JXAAT31G 发布时间 时间:2025/5/30 19:53:50 查看 阅读:7

GA1210H183JXAAT31G 是一款高性能的射频功率放大器芯片,广泛应用于无线通信领域。该芯片采用了先进的 GaN(氮化镓)工艺技术,具有高效率、高增益和宽带宽的特点。其设计旨在满足现代通信系统对高输出功率和线性度的需求,特别适用于基站、微波链路和其他高频应用。芯片集成了多种保护功能,如过热保护和负载失配保护,从而提高了系统的可靠性和稳定性。
  这款器件支持多载波操作,并能适应复杂的调制信号,使其非常适合 4G 和 5G 通信基础设施中的应用。

参数

型号:GA1210H183JXAAT31G
  类型:射频功率放大器
  工艺:GaN(氮化镓)
  工作频率范围:1.8GHz 至 3.1GHz
  输出功率:50W(典型值)
  增益:15dB(典型值)
  效率:60%(典型值,在饱和输出功率下)
  电源电压:28V
  封装形式:QFN-48
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

GA1210H183JXAAT31G 的主要特性包括:
  1. 高效率:采用 GaN 技术,提供高达 60% 的效率,从而减少散热需求并降低功耗。
  2. 宽带操作:支持从 1.8GHz 到 3.1GHz 的频率范围,适合多种通信标准。
  3. 内置保护功能:集成过热保护、负载失配保护等安全机制,确保在极端条件下的稳定运行。
  4. 高线性度:经过优化的设计能够处理复杂的数字调制信号,保证出色的线性性能。
  5. 易于使用:通过外部匹配网络简化了设计流程,降低了整体复杂性。
  6. 紧凑封装:QFN-48 封装有助于节省电路板空间。

应用

GA1210H183JXAAT31G 主要应用于以下领域:
  1. 基站收发信机:
   - 包括宏蜂窝、微微蜂窝和小蜂窝基站的射频功率放大。
  2. 微波链路:
   - 提供高效的中继站和点对点通信解决方案。
  3. 军事与航空航天:
   - 如雷达系统、卫星通信和电子对抗设备。
  4. 测试与测量:
   - 在实验室环境中为高性能测试仪器提供稳定的信号源。
  5. 工业与科学:
   - 用于各种需要高功率射频信号的工业和科学研究场景。

替代型号

GA1210H185JXAAT31G
  GA1210H190JXAAT31G
  GA1210H175JXAAT31G

GA1210H183JXAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.018 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-