时间：2025/5/13 11:04:24
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WNM03303DN 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET，主要应用于高频开关电路和功率转换领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，适用于消费电子、工业控制以及通信设备中的各种应用。
这款 MOSFET 的设计重点在于提供高效的电力传输，同时减少能量损耗，从而提升整体系统的能效表现。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：3.6A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：18nC
开关时间：典型值 t_on=9ns, t_off=20ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
WNM03303DN 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够在高电流条件下有效降低功耗。
2. 高速开关能力，适合高频应用环境。
3. 良好的热稳定性，确保在高温环境下依然保持可靠的性能。
4. 小巧的封装形式，有助于节省 PCB 空间。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
WNM03303DN 广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 各种负载切换和保护电路。
5. 手机充电器、适配器以及其他便携式设备的功率管理模块。
IRF3710, FDN340P, AO3400
