时间：2025/9/14 12:22:35
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BUK7M15-60EX是一款由Nexperia（原Philips Semiconductors）制造的高性能功率MOSFET晶体管，属于增强型N沟道场效应晶体管。该器件广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及工业自动化设备中。BUK7M15-60EX具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力以及出色的热稳定性，适用于高效率和高可靠性的应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
漏极电流（Id）：15A（在Tc=25°C时）
Rds(on)：最大值为15mΩ（在Vgs=10V时）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1V~3V
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装类型：TO-220AB、D2PAK（取决于具体型号后缀）
功耗（Ptot）：50W
输入电容（Ciss）：约1200pF
栅极电荷（Qg）：约35nC
BUK7M15-60EX具备多个优异的电气和热性能特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其极低的Rds(on)值可显著降低导通损耗，提高系统效率，这对于需要高效率的电源设计至关重要。此外，该MOSFET具有较高的耐压能力，Vds额定值为60V，适合中高功率应用。其栅极阈值电压较低，通常在1V~3V之间，这使得它能够与低电压控制电路（如MCU或PWM控制器）兼容，从而简化驱动电路设计。
该器件采用先进的沟槽技术，提供良好的导通性能和热稳定性，同时具有较高的雪崩能量承受能力，提高了器件在极端工作条件下的可靠性。封装形式通常为TO-220AB或D2PAK，具备良好的散热性能，适合在高温环境下运行。
此外，BUK7M15-60EX具有良好的抗过载能力和短路保护性能，适用于对可靠性要求较高的工业和汽车电子系统。其宽工作温度范围（-55°C至+175°C）使其适用于极端环境下的应用，如工业控制、电动车和电源适配器等。
BUK7M15-60EX广泛应用于多种功率电子系统中，特别是在需要高效率和高可靠性的场合。常见应用包括同步整流DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）、UPS不间断电源、光伏逆变器以及工业自动化控制系统。此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和LED照明驱动电路等。
由于其低导通电阻和高耐压能力，BUK7M15-60EX在开关电源（SMPS）中表现尤为出色，可有效减少开关损耗并提高整体系统效率。同时，其优异的热稳定性和高雪崩能量承受能力使其能够在恶劣的工作环境中稳定运行。
BUK7M15-60E，BUK7M15-60CX，IRFZ44N，IPD65R950CFD，FDD8882
