K3828 时间：2025/9/7 9:54:01 阅读：18

K3828是一款高性能、低功耗的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器以及负载开关等场合。这款MOSFET具备较高的电流承载能力和较低的导通电阻，适合需要高效能和高可靠性的电路设计。K3828通常采用SOP8或TO-252等封装形式，以满足不同应用场景的需求。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：100A（Vgs=10V）
　　导通电阻(Rds(on))：小于2.8mΩ（典型值）
　　功耗(Pd)：120W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOP8或TO-252

特性

K3828的主要特性包括低导通电阻、高电流承载能力以及出色的热稳定性。其低导通电阻能够显著降低导通损耗，提高电源转换效率。此外，K3828具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在极端工作条件下提供良好的稳定性和可靠性。该器件还内置了栅极保护二极管，防止静电放电（ESD）对MOSFET造成损坏。K3828的封装设计有助于提高散热性能，从而延长器件的使用寿命并提高整体系统效率。
　　K3828的栅极驱动特性也经过优化，能够在较低的栅极电压下实现高效的导通和关断操作。这不仅降低了驱动电路的设计复杂度，还减少了开关损耗，从而进一步提高系统的整体能效。同时，K3828的短路保护能力使其在负载突变或异常情况下依然能够保持稳定的工作状态，避免因过流或过热导致的损坏。

应用

K3828常用于高效率的电源转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关以及各类工业自动化设备中。其高电流承载能力和低导通电阻使其特别适合用于需要大功率输出的应用，如DC-DC降压/升压变换器、同步整流器以及电源分配系统。此外，K3828还可用于电动车、储能系统以及智能电网等对功率器件性能要求较高的领域。