时间：2025/5/13 10:10:06
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WNM01N10-3/TR 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻和快速开关速度，适用于多种电力电子应用。它通常用于电源管理、电机驱动和负载切换等场景。其封装形式为 SOT-23，适合表面贴装工艺。
该型号的命名规则中，'WNM' 表示 N 沟道 MOSFET 系列，'01' 代表其导通电阻等级，'N10' 标识其耐压范围在 10V 左右，而 '-3/TR' 则与具体的产品封装及测试标准相关。
最大漏源电压：10V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：1.5A
导通电阻（Rds(on)）：40mΩ（典型值，当 Vgs=4.5V 时）
功耗：720mW
结温范围：-55℃ 至 +150℃
WNM01N10-3/TR 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
2. 快速开关能力，适用于高频电路设计。
3. 小型化 SOT-23 封装，节省 PCB 空间并支持高密度组装。
4. 良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
5. 高电流处理能力，在小型封装下提供出色的性能表现。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 消费类电子产品中的负载开关和电池保护。
3. 便携式设备的电机驱动控制。
4. 信号电平转换和逻辑电路的接口设计。
5. 过流保护和短路保护电路。
BSS138
FDC659N
NTMFS5C703NL
