RF5117TR 时间：2025/8/24 14:23:00 阅读：11

RF5117TR是一款由Renesas Electronics制造的射频（RF）功率晶体管，专为高频、高功率应用设计。该器件采用先进的LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术制造，适用于无线基础设施、广播、工业加热和医疗设备等多种应用。RF5117TR工作频率范围宽，具有高增益、高效率和出色的热稳定性，能够在苛刻的环境条件下稳定运行。

参数

类型：射频功率晶体管
　　晶体管技术：LDMOS
　　最大漏极电流（ID(max)）：1.2 A
　　最大漏-源电压（VDS(max)）：65 V
　　工作频率范围：1 MHz 至 4 GHz
　　输出功率（典型值）：17 W
　　增益（典型值）：18 dB
　　封装类型：TO-270（表面贴装）
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C

特性

RF5117TR具有多项出色的电气和热性能，使其成为高要求射频应用的理想选择。其采用的LDMOS工艺确保了高线性度和高效率，同时支持宽频率范围，适用于多种通信和工业系统。该器件具有高达17W的输出功率，可在高负载条件下提供稳定的性能。此外，RF5117TR的高增益（18dB）使其在信号放大过程中表现出色，减少外部放大级的需求，简化系统设计。
　　在热管理方面，RF5117TR采用了高效的散热设计，确保在高功率运行时仍能维持较低的工作温度，从而提高器件的可靠性和寿命。其TO-270封装形式适用于表面贴装工艺，便于自动化生产和散热管理。
　　RF5117TR还具有良好的抗失真能力，适合用于现代通信系统中的多载波放大应用。其宽工作温度范围（-65°C 至 +150°C）使其能够适应各种恶劣环境，包括户外基站、工业设备和医疗设备。