WGI218LM SLK3A 时间：2025/12/26 18:15:35 阅读：16

WGI218LM SLK3A 是一款由Wolfspeed（原Cree）推出的高性能硅基氮化镓（GaN-on-Si）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频、高效率的电源转换应用设计。该器件采用先进的封装技术，具备优异的热性能和电气性能，适用于需要高功率密度和高开关频率的应用场景。WGI218LM SLK3A 在设计上优化了寄生参数，降低了开关损耗，并提升了系统的整体能效。其主要目标市场包括通信电源、服务器电源、工业电源、光伏逆变器以及电动汽车充电系统等。该器件通常工作在MHz级别的开关频率下，能够显著减小磁性元件和电容的体积，从而实现小型化和轻量化的电源系统设计。此外，WGI218LM SLK3A 具备良好的抗噪声能力和可靠性，能够在严苛的工作环境中稳定运行。该器件支持共源共栅（Cascode）结构配置，便于与标准硅基驱动器兼容，降低了系统设计的复杂度。由于其基于氮化镓材料的特性，相较于传统的硅MOSFET，它具有更低的导通电阻和更优的开关性能，是现代高效电源系统中的关键元器件之一。

参数

型号：WGI218LM SLK3A
　　器件类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　漏源电压（VDS）：100 V
　　连续漏极电流（ID）：30 A
　　脉冲漏极电流（IDM）：120 A
　　导通电阻（RDS(on)）：18 mΩ
　　输入电容（Ciss）：4.6 nF
　　输出电容（Coss）：1.4 nF
　　反向恢复电荷（Qrr）：0 C
　　栅极阈值电压（Vth）：2.6 V
　　最大结温（Tj）：150 °C
　　封装类型：SLK3A（表面贴装，热增强型）
　　引脚数：8
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　工作温度范围：-55 °C 至 150 °C

特性

WGI218LM SLK3A 的核心特性在于其采用的硅基氮化镓（GaN-on-Si）半导体技术，使其在高频开关应用中表现出远超传统硅MOSFET的性能优势。该器件为增强型（eGaN）设计，即在零栅极偏置下处于关断状态，提升了系统安全性并简化了驱动电路的设计。其低至18 mΩ的导通电阻（RDS(on)）有效降低了导通损耗，尤其在大电流应用中显著提升效率。同时，由于氮化镓材料本身具备更高的电子迁移率，该器件可在数十MHz甚至更高的频率下稳定工作，大幅减少了磁性元件的体积和重量，有助于实现更高功率密度的电源系统。
　　另一个显著特点是其极低的寄生参数，包括输入电容、输出电容和反向恢复电荷（Qrr接近于0），这使得器件在硬开关和软开关拓扑中均能实现极低的开关损耗。特别是在LLC谐振转换器、图腾柱PFC等对开关速度要求极高的拓扑中，WGI218LM SLK3A 能够显著降低开关过程中的能量损耗，提升整体能效至98%以上。此外，该器件具备出色的动态性能，开关上升/下降时间极短，进一步支持高频操作。
　　SLK3A封装是一种热性能优化的表面贴装封装，底部带有裸露焊盘，可有效将热量传导至PCB，提升散热能力。该封装还优化了内部引线布局，减少寄生电感，提高抗噪声能力，避免因dV/dt过高导致的误触发。器件支持多相并联使用，适用于高功率系统，且具备良好的长期可靠性和抗湿热老化能力，符合AEC-Q101等可靠性标准，适合在工业级和汽车级应用中部署。

应用

WGI218LM SLK3A 广泛应用于对效率和功率密度有极高要求的现代电力电子系统中。在数据中心和5G通信基站的供电系统中，该器件被用于实现高效率的DC-DC转换和AC-DC整流，满足48V电源架构的需求。在服务器电源中，其高频特性可用于构建高密度的中间总线转换器（IBA）或负载点（POL）电源模块，显著缩小电源体积并提升能效。
　　在新能源领域，WGI218LM SLK3A 可用于光伏微逆变器和储能系统的DC-AC逆变电路，其低损耗特性有助于提升太阳能发电系统的整体效率。在电动汽车充电基础设施中，无论是车载充电机（OBC）还是直流快充桩，该器件都能在图腾柱无桥PFC和LLC谐振变换器中发挥关键作用，实现高效率、高功率密度的能量转换。
　　此外，该器件也适用于高端工业电源、医疗设备电源以及高端消费类电子产品中的适配器设计，尤其是在追求小型化和高能效的应用中，如超薄笔记本电脑适配器和USB PD快充电源。由于其具备良好的EMI性能和热稳定性，WGI218LM SLK3A 还可在高温、高湿或振动环境中稳定运行，适用于严苛工业环境下的电源系统设计。