1DI50H-055 时间：2025/8/9 14:56:54 阅读：22

1DI50H-055是一种高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率应用，如电源转换器、电机控制和工业自动化设备。这款MOSFET具有较高的耐压能力和较低的导通电阻，使其在高电压和高电流环境下表现出色。其封装形式通常为TO-247，这种封装提供了良好的散热性能，适用于需要高效能和可靠性的电子系统。1DI50H-055由德国英飞凌（Infineon）公司生产，是工业领域中常用的功率器件之一。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：50A
　　最大漏-源电压：550V
　　导通电阻：0.15Ω（典型值）
　　栅极电压范围：±20V
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-247

特性

1DI50H-055 MOSFET具有多项显著的技术特性，使其在高功率应用中表现优异。首先，它的最大漏极电流为50A，能够在高电流负载下保持稳定的工作状态。其次，该器件的最大漏-源电压为550V，具备出色的高压承受能力，适用于高电压输入的电力电子系统。此外，1DI50H-055的导通电阻仅为0.15Ω，这意味着在导通状态下，MOSFET的功耗较低，有助于提高系统的整体效率。
　　该MOSFET的栅极电压范围为±20V，确保了在不同驱动条件下都能可靠工作。同时，其工作温度范围从-55°C到+150°C，适应了广泛的工作环境，包括严苛的工业和户外应用。1DI50H-055采用TO-247封装，这种封装不仅提供了良好的热管理，还便于安装和散热，适用于需要高效散热的高功率应用场景。
　　此外，1DI50H-055还具备快速开关能力，减少了开关损耗，提高了系统的动态响应速度。这对于需要高频工作的应用（如DC-DC转换器和电机驱动器）尤为重要。同时，该器件具有较低的输入电容和输出电容，有助于降低驱动电路的负担，提高系统的稳定性。1DI50H-055的高可靠性和耐用性使其成为工业自动化、电源管理和电动工具等领域的理想选择。

应用

1DI50H-055 MOSFET主要应用于高功率电子系统中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器和逆变器等。它特别适用于需要高电压和大电流处理能力的工业控制系统，如变频器、电动工具和不间断电源（UPS）。此外，1DI50H-055也常用于电动汽车的充电设备和太阳能逆变器中，以提高能源转换效率。