WFP7N60N 时间：2025/12/29 14:16:56 阅读：8

WFP7N60N是一款由Weitron Technology生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高频率开关应用。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：600V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：7A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（最大）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220

特性

WFP7N60N具有多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其高达600V的漏源电压（VDS）使其适用于中高压电源系统，如开关电源（SMPS）、工业电机驱动和照明镇流器等。其次，该MOSFET的导通电阻RDS(on)最大为1.2Ω，在7A的连续漏极电流下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体能效。
　　此外，WFP7N60N具备良好的热稳定性和较高的功率耗散能力（50W），可在较高温度环境下稳定工作。其±30V的栅源电压（VGS）允许使用较高电压的栅极驱动电路，从而提高开关性能和稳定性。TO-220封装形式不仅提供了良好的散热性能，也便于在标准电路板上安装和使用。
　　该器件还具备较高的抗雪崩能力和短路耐受性，适用于需要较高可靠性的工业和消费类电子设备。其低栅极电荷（Qg）也有助于减少开关损耗，提高高频应用中的效率。

应用

WFP7N60N广泛应用于多种功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、马达驱动器、电池管理系统和负载开关控制等。在电源管理应用中，该MOSFET可用于高侧或低侧开关，实现高效的能量转换。在照明系统中，WFP7N60N可用于LED驱动和电子镇流器设计。此外，该器件也适用于工业自动化控制、UPS（不间断电源）和消费类电子产品中的功率调节电路。