您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > HIN202ECBNZ+T

HIN202ECBNZ+T 发布时间 时间:2025/5/10 17:53:34 查看 阅读:6

HIN202ECBNZ+T 是一款高性能的 N 沃特 (N-Channel) 增强型绝缘栅双极晶体管(IGBT),专为高频、高效率开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通损耗和快速开关速度的特点。其主要应用于工业电源、电机驱动、逆变器及不间断电源系统等领域。
  该型号具备出色的热性能和电气特性,能够承受较高的工作电压,并且在高温环境下也能稳定运行。

参数

最大集电极-发射极电压:600V
  最大集电极电流:20A
  总功耗:250W
  栅极-发射极开启电压:12V
  导通电阻:0.18Ω
  开关时间:ton=40ns, toff=70ns
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

HIN202ECBNZ+T 具有以下显著特点:
  1. 高耐压能力,支持高达 600V 的集电极-发射极电压,确保在高压环境下稳定运行。
  2. 快速开关速度,开关时间为纳秒级,有效降低开关损耗。
  3. 低导通电阻,减少功率损耗并提升整体效率。
  4. 良好的热稳定性,在极端温度范围内仍能保持高效性能。
  5. 内置保护机制,防止过流和短路情况下的器件损坏。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无害,适用于对环境要求严格的场景。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 工业自动化中的交流电机驱动器。
  2. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统。
  3. 高效开关电源(SMPS)和不间断电源(UPS)。
  4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的牵引逆变器。
  5. 焊接设备和感应加热装置。
  6. 各种需要大功率切换和控制的应用场景。

替代型号

HIN202ECBQZ+T, HIN202ECBNP+T

HIN202ECBNZ+T推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价