HIN202ECBNZ+T 是一款高性能的 N 沃特 (N-Channel) 增强型绝缘栅双极晶体管(IGBT),专为高频、高效率开关应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通损耗和快速开关速度的特点。其主要应用于工业电源、电机驱动、逆变器及不间断电源系统等领域。
该型号具备出色的热性能和电气特性,能够承受较高的工作电压,并且在高温环境下也能稳定运行。
最大集电极-发射极电压:600V
最大集电极电流:20A
总功耗:250W
栅极-发射极开启电压:12V
导通电阻:0.18Ω
开关时间:ton=40ns, toff=70ns
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
HIN202ECBNZ+T 具有以下显著特点:
1. 高耐压能力,支持高达 600V 的集电极-发射极电压,确保在高压环境下稳定运行。
2. 快速开关速度,开关时间为纳秒级,有效降低开关损耗。
3. 低导通电阻,减少功率损耗并提升整体效率。
4. 良好的热稳定性,在极端温度范围内仍能保持高效性能。
5. 内置保护机制,防止过流和短路情况下的器件损坏。
6. 符合 RoHS 标准,环保无害,适用于对环境要求严格的场景。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 工业自动化中的交流电机驱动器。
2. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统。
3. 高效开关电源(SMPS)和不间断电源(UPS)。
4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)中的牵引逆变器。
5. 焊接设备和感应加热装置。
6. 各种需要大功率切换和控制的应用场景。
HIN202ECBQZ+T, HIN202ECBNP+T